現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場(chǎng)上居于主導(dǎo)地位。由于科技進(jìn)步，電力電子裝置對(duì)輕薄短小及之要求 ,帶動(dòng)MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換....等領(lǐng)域，使半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)技術(shù)人員在市場(chǎng)需求下，對(duì)大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。賣(mài)方由于自身原因而延遲交貨時(shí)，買(mǎi)方有權(quán)按商務(wù)規(guī)定方法向賣(mài)方收取罰款。

關(guān)斷時(shí)間測(cè)試參數(shù)： 1、關(guān)斷時(shí)間toff：5～2000ns±3%±3ns 2、關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)：5～2000ns±3%±3ns 3、下降時(shí)間tf：5～2000ns±3%±3ns 4、關(guān)斷能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、關(guān)斷耗散功率Pon：10W～250kW 關(guān)斷時(shí)間測(cè)試條件： 1、集電極電壓Vce：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 2、集電極電流Ic：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A; 500～1000A±3%±5A;

13）被測(cè)器件旁路開(kāi)關(guān) 被測(cè)安全接地開(kāi)關(guān)，設(shè)備不運(yùn)行時(shí)，被測(cè)接地。 ?電流能力 DC 50A ?隔離耐壓 15kV ?響應(yīng)時(shí)間 150ms ?工作方式 氣動(dòng)控制 ?工作氣壓 0.4MPa ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70% 14）工控機(jī)及操作系統(tǒng) 用于控制及數(shù)據(jù)處理，采用定制化系統(tǒng)，主要技術(shù)參數(shù)要求如下： ?機(jī)箱：4Μ 15槽上架式機(jī)箱； ?支持ATX母板； ?CPΜ：INTEL雙核； ?主板：研華SIMB； ?硬盤(pán)：1TB；可生成器件的I-V特性曲線(xiàn)，曲線(xiàn)上測(cè)試點(diǎn)數(shù)據(jù)可以導(dǎo)出到EXCEL表格。內(nèi)存4G； ?3個(gè)5.25”和1個(gè)3.5”外部驅(qū)動(dòng)器； ?集成VGA顯示接口、4個(gè)PCI接口、6個(gè)串口、6個(gè)ΜSB接口等。 ?西門(mén)子PLC邏輯控制

4驗(yàn)收和測(cè)試 3)驗(yàn)收試驗(yàn)應(yīng)在-10～40℃環(huán)境溫度下進(jìn)行，驗(yàn)收完成后測(cè)試平臺(tái)及外部組件和裝置均應(yīng)安裝在買(mǎi)方的位置上。 4)測(cè)試單元發(fā)貨到買(mǎi)方前，賣(mài)方應(yīng)進(jìn)行出廠(chǎng)試驗(yàn)。2反向恢復(fù)技術(shù)條件 測(cè)試參數(shù)： 1、Irr(反向恢復(fù)電流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr(反向恢復(fù)電荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0。賣(mài)方出廠(chǎng)試驗(yàn)詳細(xì)方案應(yīng)提前提交買(mǎi)方評(píng)估，通過(guò)買(mǎi)方評(píng)估合格后實(shí)施方可視為有效試驗(yàn)。否則，需按買(mǎi)方提出的修改意見(jiàn)重新制定出廠(chǎng)試驗(yàn)方案，直至買(mǎi)方評(píng)估合格。