測(cè)量目的：對(duì)模塊的電壓降參數(shù)進(jìn)行檢測(cè), 可判斷模塊是否處于正常狀態(tài)。 功率模塊的VCE-IC特性曲線(xiàn)會(huì)隨著器件使用年限的增加而變化，飽和壓降Vcesat會(huì)逐漸劣化。因此，定期檢測(cè)可預(yù)防發(fā)現(xiàn)功率模塊故障。且變流器由多個(gè)模塊組成，由于個(gè)體差異，大電流情況下的參數(shù)也會(huì)存在個(gè)體差異。因此，測(cè)量大電流情況下的各個(gè)模塊實(shí)際技術(shù)參數(shù)，進(jìn)行跟蹤管理，可有效保障機(jī)車(chē)中間直流環(huán)節(jié)可靠運(yùn)行。負(fù)載電感 配備自動(dòng)切換開(kāi)關(guān)，可分別接通不同電感值，由計(jì)算機(jī)控制自動(dòng)接通。 IGBT模塊VCE-IC特線(xiàn)（單管），Vcesat隨電流變大而增大。

測(cè)試的IGBT參數(shù)包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門(mén)極漏流）、IGESR（反向門(mén)極漏流）、VGETH（門(mén)檻電壓／閾值）、VGEON（通態(tài)門(mén)極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態(tài)集極漏流）、VF（二極管壓降）、GFS（跨導(dǎo)）、rCE（導(dǎo)通電阻）等全直流參數(shù), 所有小電流指標(biāo)保證1%重復(fù)測(cè)試精度, 大電流指標(biāo)保證2%以?xún)?nèi)重復(fù)測(cè)試精度。集成VGA顯示接口、4個(gè)PCI接口、6個(gè)串口、6個(gè)ΜSB接口等。

半導(dǎo)體元件全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，可以元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓，并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù)，再與原出廠指標(biāo)比較，由此來(lái)判定元件的好壞或退化的百分比。每個(gè)電流模塊，都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng)，以便在測(cè)試時(shí)，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用；01uA 集電極電壓VCE： 0V 柵極電壓Vge： 0-40V±3%±0。 可選購(gòu)?fù)獠扛邏耗K，執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如：各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)2KV。

目的和用途 該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過(guò)測(cè)試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。凡是半導(dǎo)體元件如金屬氧化場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATEDGATEB。 1.2 測(cè)試對(duì)象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導(dǎo)體模塊 2.測(cè)試參數(shù)及指標(biāo) 2.1開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試單元技術(shù)條件 開(kāi)通時(shí)間測(cè)試參數(shù)： 1、開(kāi)通時(shí)間ton：5～2000ns±3%±3ns 2、開(kāi)通延遲時(shí)間td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升時(shí)間tr：5～2000ns±3%±3ns 4、開(kāi)通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、開(kāi)通電流上升率di/dt測(cè)量范圍：200-10000A/uS 6、開(kāi)通峰值功率Pon：10W～250kW