華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管，MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1200A（可擴(kuò)展至1600A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車 ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修，無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，可實(shí)現(xiàn)的在線IGBT檢測(cè)，測(cè)試方便，測(cè)試過程簡單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電力、冶金自動(dòng)化、軌道交通、電力電子新能源開發(fā)等行業(yè)，部分產(chǎn)品出口到歐美等發(fā)達(dá)國家。 近兩年IGBT測(cè)試儀持續(xù)火爆，新能源汽車，軌道交通，風(fēng)力發(fā)電等等都需要大量的IGBT模塊，所以我們?nèi)A科智源推出了大功率IGBT測(cè)試儀，可以測(cè)試1200A，5000V以內(nèi)的IGBT模塊，基本可以涵蓋現(xiàn)階段的IGBT模塊的測(cè)試了，我們IGBT測(cè)試儀還可以在線檢測(cè)模塊的電性能參數(shù)，對(duì)一些檢修，維護(hù)領(lǐng)域的工作有比較好的幫助，目前國內(nèi)我們?nèi)A科智源不光是IGBT靜態(tài)測(cè)試儀，包括動(dòng)態(tài)測(cè)試儀，與國際品牌的設(shè)備也可以放在一起競(jìng)爭了，而且我們不怕競(jìng)爭，這對(duì)我們是一種促進(jìn)。

測(cè)試大功率元件應(yīng)用范例說明？

2011年，我們?cè)谏钲诘罔F運(yùn)營公司前海車輛段大修車間，進(jìn)行了實(shí)際的展示與操作，廠方提供了許多元件來測(cè)試，其中一部份由于損毀嚴(yán)重，在一開始的功能與元件判別過程，即被判出局，而未進(jìn)入實(shí)質(zhì)的參數(shù)量測(cè)，也有全新的IGBT，量測(cè)結(jié)果完全合乎出廠規(guī)格.對(duì)其測(cè)試數(shù)據(jù)極為滿意，解決了特大功率器件因無法測(cè)試給機(jī)車在使用帶來的工作不穩(wěn)定、器件易燒壞、易等問題。用戶能對(duì)舊品元件作篩選，留下可用元件，確實(shí)掌握設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)的可靠度。2反向恢復(fù)技術(shù)條件 測(cè)試參數(shù)： 1、Irr(反向恢復(fù)電流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr(反向恢復(fù)電荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0。

產(chǎn)品主要有電力半導(dǎo)體器件、組件、模塊（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶閘管及功率整流管等）的檢測(cè)及可靠性設(shè)備，電氣自動(dòng)化設(shè)備，電冶、電化學(xué)裝置，電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高、中、低頻感應(yīng)加熱電源、感應(yīng)加熱爐，晶閘管高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅(qū)動(dòng)器、遠(yuǎn)距離光電轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng)、光電脈沖觸發(fā)板、IGBT的智能高壓驅(qū)動(dòng)板等。建議進(jìn)行高溫測(cè)試，模擬器件使用工況，更為準(zhǔn)確的判斷器件老化程度。