鎖相環(huán)電路中壓控振蕩器的SET響應(yīng)研究

空間輻射環(huán)境中的鎖相環(huán)在SET作用下,將產(chǎn)生頻率或相位偏差,甚至導(dǎo)致振蕩中止,造成通信或功能中斷。壓控振蕩器是鎖相環(huán)中的關(guān)鍵電路,也是對(duì)SET敏感的部件之一。本文基于工藝校準(zhǔn)的器件模型,采用TCAD混合模擬的方法,針對(duì)180nm體硅CMOS工藝下高頻鎖相環(huán)中的壓控振蕩器,研究了偏置條件、入射粒子的能量以及溫度對(duì)壓控振蕩器SET響應(yīng)的影響,通過(guò)分析失效機(jī)理,以指導(dǎo)抗輻照壓控振蕩器的設(shè)計(jì)。研究結(jié)果表明,當(dāng)器件工作在截止區(qū)時(shí),入射粒子引起壓控振蕩器輸出時(shí)鐘的相位差小;壓控振蕩器的輸出時(shí)鐘錯(cuò)誤脈沖數(shù)隨著入射粒子LET的增加而線性增加;隨著器件工作溫度的升高,轟擊粒子引起壓控振蕩器輸出時(shí)鐘的相位差也是增大的。

如何選擇壓控晶體振蕩器？

有源石英晶體振蕩器分為普通振蕩器，溫補(bǔ)振蕩器TCXO，壓控振蕩器VCXO，恒溫振蕩器OCXO等等，從使用數(shù)量來(lái)看普通振蕩器和溫補(bǔ)振蕩器可觀，一個(gè)代表通用型，一個(gè)代表頻率高精度型；而壓控和恒溫市場(chǎng)需求相對(duì)較少，但是從選型難易程度看，恒溫雖然代表著更高的技術(shù)要求，很多指標(biāo)要求從設(shè)計(jì)上已經(jīng)達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)，所以在選擇上相對(duì)簡(jiǎn)單，而壓控晶振它牽涉到更多的性能指標(biāo)，不同性能指標(biāo)其用法及成本均有很大的差異，所以在這里對(duì)壓控晶振的選型做相關(guān)的介紹 。

一種具有溫度補(bǔ)償效應(yīng)的環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì)

介紹了一種基于O.35μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的三級(jí)差分環(huán)形壓控振蕩器。結(jié)果表明,2.5V電源電壓供電時(shí),振蕩器中心頻率為315MHz,工作電流為330uA,電路功耗僅為825uW。溫度范圍為一30~80℃,輸出頻率的中心頻率為295~328MHz,頻率變化小于1000ppm。本設(shè)計(jì)可極大的改善由于溫度引起的振蕩器頻率嚴(yán)重變化的影響,可應(yīng)用于鎖相環(huán)和頻率綜合器設(shè)計(jì)中。

壓控振蕩器的封裝方式

北京晶宇興科技有限公司是集研發(fā)、生產(chǎn)及銷售為一體的石英晶體、晶振等頻率控制器件的公司。

壓控振蕩器（VCO）是許多可調(diào)通信、無(wú)線電、雷達(dá)、傳感和測(cè)量系統(tǒng)的關(guān)鍵元件。VCO本質(zhì)上是由輸入電壓（通常為模擬電壓）控制的振蕩器。

封裝方式

VCO采用多種封裝形式，通常采用表面貼裝封裝或同軸連接封裝。通常采用堅(jiān)固及氣密性封裝，或者專門針對(duì)惡劣環(huán)境和滿足高可靠性標(biāo)準(zhǔn)（工業(yè)、商業(yè)或軍事用途）進(jìn)行封裝。因此，電鍍和封裝材料/技術(shù)通常滿足軍事標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，能夠達(dá)到相關(guān)的運(yùn)行溫度范圍、濕度、沖擊和振動(dòng)要求。