表格12動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試部分組成

序號(hào) 組成部分 單位 數(shù)量

1 可調(diào)充電電源 套 1

2 直流電容器 個(gè) 8

3 動(dòng)態(tài)測(cè)試負(fù)載電感 套 1

4 安全工作區(qū)測(cè)試負(fù)載電感 套 1

5 補(bǔ)充充電回路限流電感L 個(gè) 1

6 短路保護(hù)放電回路 套 1

7 正常放電回路 套 1

8 高壓大功率開關(guān) 個(gè) 5

9 尖峰抑制電容 個(gè) 1

10 主回路正向?qū)ňчl管 個(gè) 2

11 動(dòng)態(tài)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 個(gè) 2

12 安全工作區(qū)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 個(gè) 3

13 被測(cè)器件旁路開關(guān) 個(gè) 1

14 工控機(jī)及操作系統(tǒng) 套 1

15 數(shù)據(jù)采集與處理單元 套 1

16 機(jī)柜及其面板 套 1

17 壓接夾具及其配套系統(tǒng) 套 1

18 加熱裝置 套 1

19 其他輔件 套 1

目的和用途 該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過測(cè)試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。5雪崩技術(shù)條件 1、Vce：50～500V±3%±5V500～1000V±3%±5V 2、Ic：1A～50A 1A～9。 1.2 測(cè)試對(duì)象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導(dǎo)體模塊 2.測(cè)試參數(shù)及指標(biāo) 2.1開關(guān)時(shí)間測(cè)試單元技術(shù)條件 開通時(shí)間測(cè)試參數(shù)： 1、開通時(shí)間ton：5～2000ns±3%±3ns 2、開通延遲時(shí)間td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升時(shí)間tr：5～2000ns±3%±3ns 4、開通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、開通電流上升率di/dt測(cè)量范圍：200-10000A/uS 6、開通峰值功率Pon：10W～250kW

4驗(yàn)收和測(cè)試 1)驗(yàn)收由雙方共同參加，按照技術(shù)規(guī)范書的技術(shù)要求逐項(xiàng)完成所有測(cè)試項(xiàng)，檢驗(yàn)單元是否功能齊全、模塊完整、正常運(yùn)行。1V -30V～30VQg柵極電荷 400~20000nC Ig:0～50A±3%±0。由賣方現(xiàn)場(chǎng)安裝、測(cè)試，買方確認(rèn)測(cè)試合格通過后完成驗(yàn)收。 2)賣方負(fù)責(zé)組織和實(shí)施整個(gè)單元的組裝、調(diào)試、系統(tǒng)集成工作；負(fù)責(zé)免費(fèi)培訓(xùn)并提供培訓(xùn)教材。培訓(xùn)后，應(yīng)能達(dá)到用戶能基本完全獨(dú)立熟練操作單元進(jìn)行功率半導(dǎo)體性能測(cè)試，并能解決實(shí)際工程問題。