污水處理電氣控制柜

污水處理電氣控制柜

2、自動(dòng)控制系統(tǒng)

污水處理電氣控制柜的自動(dòng)控制系統(tǒng)采用PLC可編程控制器來實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制，變頻器、傳感器以及擴(kuò)展模塊。主要控制單元是PLC控制器，根據(jù)污水處理工藝流程以及設(shè)備結(jié)構(gòu)進(jìn)行控制編程設(shè)計(jì)。變頻器，與其他電器元件一同安裝在控制柜內(nèi)，可對污水處理設(shè)備進(jìn)行變頻調(diào)節(jié)。

傳感器的輸入信號，主要進(jìn)行數(shù)據(jù)信息的采集。擴(kuò)展模塊根據(jù)實(shí)際控制需求以及功能需求進(jìn)行添加。PLC自動(dòng)控制系統(tǒng)通過與污水處理設(shè)備進(jìn)行通訊協(xié)議對接，實(shí)現(xiàn)對污水處理設(shè)備的自動(dòng)化控制。

干貨匯總：20個(gè)污水處理關(guān)鍵參數(shù)控制指標(biāo)

干貨匯總：20個(gè)污水處理關(guān)鍵參數(shù)控制指標(biāo)

（3）SS:懸浮物質(zhì)，水中懸浮物測定用2mm的篩通過，并且用孔徑為1μm的玻璃纖維濾紙截留的物質(zhì)為SS。交替物質(zhì)在濾液（溶解性物質(zhì)）和截留懸浮物中均含有，但大多數(shù)認(rèn)為膠體物質(zhì)和懸浮物質(zhì)一樣被濾紙截留。

（4）TS:蒸發(fā)殘留物，水樣經(jīng)蒸發(fā)烘干后的殘留量，在105－110℃下將水樣蒸發(fā)至干時(shí)所殘余的固體物質(zhì)總量。溶解性物質(zhì)量等于蒸發(fā)殘留物減去懸浮物質(zhì)量。

（5）灼量（VTS）（VSS）：蒸發(fā)殘留物或懸浮物質(zhì)在600℃±25℃經(jīng)30min高溫?fù)]發(fā)的物質(zhì)，表示有機(jī)物量（前者為VTS，后者為VSS），蒸發(fā)殘留物灼燒減量的差稱為灼燒殘?jiān)?，表示無機(jī)物部分。

污水處理廠運(yùn)行異常事故應(yīng)急處理方法

污水處理廠運(yùn)行異常事故應(yīng)急處理方法

一、水量不足            

當(dāng)水量不足時(shí)，工藝控制如下：

1. 提升泵房盡量保持水泵平穩(wěn)進(jìn)水，但需避免水泵低液位運(yùn)行。

2. 水量在設(shè)計(jì)水量的50%以下，污水處理系統(tǒng)單組運(yùn)行(雙組系統(tǒng))或間歇運(yùn)行(單組系統(tǒng))，注意監(jiān)控生化系統(tǒng)運(yùn)行參數(shù)(DO、pH、MLSS等)，及時(shí)調(diào)整工藝。

3. 回流比控制在50-100%。

4. 二沉池投入一半。

二、水量超過設(shè)計(jì)負(fù)荷

當(dāng)水量超過設(shè)計(jì)負(fù)荷時(shí)，工藝控制如下：

1. 提升泵房滿負(fù)荷生產(chǎn)，但不超過設(shè)計(jì)負(fù)荷的變化系數(shù)。

2. 粗、細(xì)格柵現(xiàn)場連續(xù)開啟，并及時(shí)清除柵渣。

3. 水量突增初期，污水處理系統(tǒng)曝氣設(shè)備全開，注意監(jiān)控生化系統(tǒng)運(yùn)行參數(shù)(DO、pH、MLSS等)，及時(shí)調(diào)整工藝。

4. 加大生化池上清液、二沉池出水及總出水的抽檢頻次。

5. 二沉池全部投入使用。

6. 隨著生化系統(tǒng)逐漸穩(wěn)定，DO上升，系統(tǒng)氨氮較低，可考慮減少曝氣設(shè)備的開啟臺數(shù)及開啟頻率。