3、技術(shù)指標(biāo) * 3.1 機(jī)臺(tái)可測(cè)試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3.2 機(jī)臺(tái)可測(cè)IGBT項(xiàng)目 及測(cè)試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導(dǎo)通電壓 可以測(cè)5000V,1600A以下的IGBT模塊 * 3.3 機(jī)臺(tái)可測(cè)MOS項(xiàng)目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs 3.4 測(cè)試項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)試條件與精度 * 3.5 VGE(th) 柵極閾值電壓 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 解析度：0.01V 集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA；包裝與運(yùn)輸由專人負(fù)責(zé)，每個(gè)部分隨機(jī)文件包括發(fā)貨清單、出廠合格證、試驗(yàn)報(bào)告和主要器件說(shuō)明書等。 200～1000mA±1%±2mA；

測(cè)試大功率元件應(yīng)用范例說(shuō)明？

2011年，我們?cè)谏钲诘罔F運(yùn)營(yíng)公司前海車輛段大修車間，進(jìn)行了實(shí)際的展示與操作，廠方提供了許多元件來(lái)測(cè)試，其中一部份由于損毀嚴(yán)重，在一開始的功能與元件判別過程，即被判出局，而未進(jìn)入實(shí)質(zhì)的參數(shù)量測(cè)，也有全新的IGBT，量測(cè)結(jié)果完全合乎出廠規(guī)格.對(duì)其測(cè)試數(shù)據(jù)極為滿意，解決了特大功率器件因無(wú)法測(cè)試給機(jī)車在使用帶來(lái)的工作不穩(wěn)定、器件易燒壞、易等問題。用戶能對(duì)舊品元件作篩選，留下可用元件，確實(shí)掌握設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)的可靠度。集成VGA顯示接口、4個(gè)PCI接口、6個(gè)串口、6個(gè)ΜSB接口等。

3.3主要技術(shù)要求

3.3.1 動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試單元技術(shù)要求

3.3.1.1 環(huán)境條件

1)海拔高度：海拔不超過1000m；

2)溫度：儲(chǔ)存環(huán)境溫度 -20℃～60℃；

3)工作環(huán)境溫度： -5℃～40℃；

4)濕度：20%RH 至 90%RH (無(wú)凝露，濕球溫度計(jì)溫度: 40℃以下)；

5)震動(dòng)：抗能力按7級(jí)設(shè)防，地面抗震動(dòng)能力≤0.5g；

6)防護(hù)：無(wú)較大灰塵，腐蝕或性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試部分主要材料技術(shù)要求 1）閾值電壓測(cè)試電路 閾值電壓測(cè)試電路（僅示出IEC標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試電路） ?滿足表格9測(cè)試參數(shù)要求 ?低壓開關(guān)電源要求：Vcc=12V (針對(duì)上圖電路) ?可調(diào)電源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V ?集電極電流測(cè)試電路精度：10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA； 2）集射極截止電壓/集射極截止電流測(cè)試電路 集射極截止電壓/發(fā)射極截止電流測(cè)試電路 ?高壓充電電源：10~2kV連續(xù)可調(diào) ?支撐電容：額定電壓2kV ?集電極電流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；當(dāng)元件損毀時(shí)，會(huì)連帶將其驅(qū)動(dòng)電路上的元件或與其并聯(lián)使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發(fā)現(xiàn)更換。30～300mA±1%±0.1mA ?集電極電壓VCES：200～1500V±2%±1V