光刻膠介紹

光刻膠介紹

光刻膠(又稱光致抗蝕劑)，是指通過紫外光、準分子激光、電子束、離子束、x射線等光源的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻材料。光刻膠具有光化學敏感性，其經過曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將設計好的微細圖形從掩膜版轉移到待加工基片。因此光刻膠微細加工技術中的關鍵性化工材料，被廣泛應用于光電信息產業(yè)的微細圖形線路的加工制作。生產光刻膠的原料包括光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產酸劑）、光刻膠樹脂、單體和其他助劑等。30．想請教國產光刻膠不能達到膜厚要求，進口的有沒有比較好的光刻膠啊。

北京賽米萊德貿易有限公司供應美國Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY，NR9i-3000PY有下面的優(yōu)勢： 1. 比較高的光刻速度，可以定制光刻速度來曝光產量 2. 比較高的分辨率和快的顯影時間 3. 根據曝光能量可以比較容易的調整側壁角度 4. 耐溫可以達到100攝氏度 5. 用RR5去膠液可以很容易的去膠 NR9-3000PY的制作和工藝是根據職業(yè)和環(huán)境的安全而設計。經過2、3小時的日曬，透光部分的瀝青明顯變硬，而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。

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正負光刻膠

正負光刻膠

光刻膠分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。正膠的圖像與掩模板的圖像是一致的，故此叫正膠，利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。

一般來說線寬的用正膠,線窄的用負膠!硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強光刻膠與表面的黏附性、通常大約100°C。 正性光刻膠比負性的精度要高，負膠顯影后圖形有漲縮，負性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優(yōu)于0.5μm 導致影響精度，正性膠則無這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨率，但是薄負性膠會影響孔。同種厚度的正負膠，在對于抗?jié)穹ê透g性方面負膠更勝一籌，正膠難以企及。賽米萊德提供美國Futurrex的光刻膠的供應與技術參數。

?Futurrex

提供先進化學技術的多樣化解決方案

成立于1985年,總部設在美國新澤西州，富蘭克林市,高速成長并超過20年連續(xù)盈利的跨國公司

公司業(yè)務覆蓋范圍包括北美，亞太以及歐洲

基于多樣化的技術

應用領域：微電子、光電子、LED、太陽能光伏、微機電系統(tǒng)、生物芯片、微流體、平面印刷

解決方案：的光刻膠、摻雜涂層、平坦化涂層、旋制氧化硅(spin-onglase)。阻擋層(Barrior Layere)、濕法制程

客戶：從財富100強到以風險投資為背景的設備研發(fā)及制造公司

使命

目標

提供特殊化學品和全新工藝來增加客戶的產能

策略

提供獨特的產品來優(yōu)化生產制程，以提高設備能效

領的技術提升生產過程中的整體性價比

工藝步驟的減少降低了成本和產生瑕疵的可能

增加客戶的產能和生產的效率

工藝減化

非同尋常的顯微構造、金屬及介電層上的圖形轉換、光刻、平坦化、摻雜、蝕刻、邦定

在生產過程中，不含有害溶劑

支持所有客戶的需要，與客戶共創(chuàng)成功