測(cè)試參數(shù)： ICES 集電極-發(fā)射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓 ICON 通態(tài)電極電流 VGEON 通態(tài)柵極電壓 VF 二極管正向?qū)▔航? 整個(gè)測(cè)試過程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用。測(cè)試工作電壓：10kV（整體設(shè)備滿足GB19517—2009標(biāo)準(zhǔn)外，局部絕緣電壓應(yīng)滿足測(cè)試需求）18）其他輔件。

3、技術(shù)指標(biāo) * 3.1 機(jī)臺(tái)可測(cè)試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3.2 機(jī)臺(tái)可測(cè)IGBT項(xiàng)目 及測(cè)試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導(dǎo)通電壓 可以測(cè)5000V,1600A以下的IGBT模塊 * 3.3 機(jī)臺(tái)可測(cè)MOS項(xiàng)目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs 3.4 測(cè)試項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)試條件與精度 * 3.5 VGE(th) 柵極閾值電壓 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 解析度：0.01V 集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA；3 機(jī)臺(tái)可測(cè)MOS項(xiàng)目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs3。 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；

測(cè)試大功率元件應(yīng)用范例說明？

2011年，我們?cè)谏钲诘罔F運(yùn)營(yíng)公司前海車輛段大修車間，進(jìn)行了實(shí)際的展示與操作，廠方提供了許多元件來測(cè)試，其中一部份由于損毀嚴(yán)重，在一開始的功能與元件判別過程，即被判出局，而未進(jìn)入實(shí)質(zhì)的參數(shù)量測(cè)，也有全新的IGBT，量測(cè)結(jié)果完全合乎出廠規(guī)格.對(duì)其測(cè)試數(shù)據(jù)極為滿意，解決了特大功率器件因無法測(cè)試給機(jī)車在使用帶來的工作不穩(wěn)定、器件易燒壞、易等問題。型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試測(cè)試、篩選、分析，。用戶能對(duì)舊品元件作篩選，留下可用元件，確實(shí)掌握設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)的可靠度。