現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場(chǎng)上居于主導(dǎo)地位。由于科技進(jìn)步，電力電子裝置對(duì)輕薄短小及之要求 ,帶動(dòng)MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換..2測(cè)試對(duì)象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導(dǎo)體模塊 2。..等領(lǐng)域，使半導(dǎo)體開發(fā)技術(shù)人員在市場(chǎng)需求下，對(duì)大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。

主要參數(shù) 測(cè)試范圍 精度要求 測(cè)試條件

Vce

集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V； 150～3300V

Ic

集射極電流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A

Vge

柵極電壓 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；

0～ 30V±1%±0.1V -30V～30V

Qg

柵極電荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

開通/關(guān)斷延遲 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降時(shí)間 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

開通/關(guān)斷能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；

表格12動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試部分組成

序號(hào) 組成部分 單位 數(shù)量

1 可調(diào)充電電源 套 1

2 直流電容器 個(gè) 8

3 動(dòng)態(tài)測(cè)試負(fù)載電感 套 1

4 安全工作區(qū)測(cè)試負(fù)載電感 套 1

5 補(bǔ)充充電回路限流電感L 個(gè) 1

6 短路保護(hù)放電回路 套 1

7 正常放電回路 套 1

8 高壓大功率開關(guān) 個(gè) 5

9 尖峰抑制電容 個(gè) 1

10 主回路正向?qū)ňчl管 個(gè) 2

11 動(dòng)態(tài)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 個(gè) 2

12 安全工作區(qū)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 個(gè) 3

13 被測(cè)器件旁路開關(guān) 個(gè) 1

14 工控機(jī)及操作系統(tǒng) 套 1

15 數(shù)據(jù)采集與處理單元 套 1

16 機(jī)柜及其面板 套 1

17 壓接夾具及其配套系統(tǒng) 套 1

18 加熱裝置 套 1

19 其他輔件 套 1

產(chǎn)品主要有電力半導(dǎo)體器件、組件、模塊（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶閘管及功率整流管等）的檢測(cè)及可靠性設(shè)備，電氣自動(dòng)化設(shè)備，電冶、電化學(xué)裝置，電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高、中、低頻感應(yīng)加熱電源、感應(yīng)加熱爐，晶閘管高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅(qū)動(dòng)器、遠(yuǎn)距離光電轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng)、光電脈沖觸發(fā)板、IGBT的智能高壓驅(qū)動(dòng)板等。高壓探頭：滿足表格4-11動(dòng)態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測(cè)試需求。