通常用循環(huán)熱風烤箱或熱風道將墨膜內的稀釋劑“趕”出去。正確掌握烘烤溫度和烘烤時間非常重要，若溫度低和時間短，膜內的溶劑揮發(fā)不掉，曝光時粘菲林，顯影時膜不牢;如果溫度過高或烘烤時間過長，由于感光樹脂產(chǎn)生熱交聯(lián)反應，部分雙鍵被打開，已形成網(wǎng)狀結構，當曝光時已失去光化學反應機能，造成感度下降;顯影時，因未曝光部分已形成網(wǎng)狀結構，不溶于稀堿溶液，造成顯影難。


非曝光區(qū)的光刻膠由于在曝光時并未發(fā)生化學反應，在顯影時也就不會存在這樣的酸堿中和，因此非曝光區(qū)的光刻膠被保留下來。經(jīng)過曝光的正膠是逐漸溶解的，中和反應只在光刻膠的表面進行，因此正膠受顯影液的影響相對比較小。進行顯影的方式有很多種，廣泛使用的方法是噴灑方法。這種顯影方式可以分為三個階段：硅片被置于旋轉臺 上，并且在硅片表面上噴灑顯影液；然后硅片將在靜止的狀態(tài)下進行顯影；顯影完成后，需要經(jīng)過漂洗，之后再烘干。

蝕刻：蝕刻是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。蝕刻利用蝕刻液與銅層反應,蝕去線路板上不需要的銅,得到所要求的線路。蝕刻技術可以分為濕蝕刻和干蝕刻兩類。

曝光：經(jīng)光源作用將原始底片上的圖像轉移到感光底板上。

蝕刻曝光就是通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護膜去除，在蝕刻時接觸化學溶液，達到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。