KOAN 壓控晶振舉例介紹

VCXO 是將頻率控制電壓從基準(zhǔn)電壓調(diào)到規(guī)定的終點(diǎn)電壓，晶體振蕩器頻率的小峰值改變量。當(dāng)控制電壓調(diào)整為中央電壓時(shí)，VCXO輸出標(biāo)稱頻率，此原理常用于晶振頻率的電校準(zhǔn)(例如VCTCXO)鎖相環(huán)電路中。說明：基準(zhǔn)電壓為＋2.5V，規(guī)定終點(diǎn)電壓為＋0.5V 和＋4.5V，壓控晶體振蕩器在＋0.5V 頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為-2ppm，在＋4.5V頻率控制電壓時(shí)頻率改變量為 2.1ppm，則 VCXO 電壓控制頻率壓控范圍表示為：≥±2ppm(2.5V±2V)，斜率為正，線性為 2.4%。

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KOAN 壓控振蕩器抖動(dòng)和相噪概述

抖動(dòng)是信號偏離理想位置的程度，表示的是時(shí)域特征。調(diào)諧范圍是指調(diào)節(jié)輸出頻率的變化范圍，即振蕩器的較大調(diào)諧頻率和較小調(diào)諧頻率的差值壓控振蕩器要有足夠大的調(diào)諧范圍才能滿足輸出頻率達(dá)到所需要的值。單位一般用 pS，fS表示。抖動(dòng)分為確定性和隨機(jī)性抖動(dòng)。確定性抖動(dòng)是可識別的干擾信號造成的，這種抖動(dòng)的幅度有限。相位噪聲通常定義為一個(gè)振蕩器在某一偏移頻率 fm 處1Hz 寬帶內(nèi)的單邊信號功率和信號的總功率比值，單位是 dBc/Hz.

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KOAN 壓控晶振相位噪聲的形成因素主要三方面

A.近端相噪主要是晶體 Q 值來決定。高頻晶體有很高的近載波相位噪聲（Close-inPhase Noise）, 因?yàn)樗麄冇械偷?Q 值和更寬的邊帶；

B 中端相噪主要是晶體外圍電路(包括 IC)來決定；

C 遠(yuǎn)端相噪主要是信號輸出(白噪聲)來決定。

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焊接不當(dāng)可能傷害 KOAN 貼片壓控振蕩器

SMD 壓控晶振趨于小型化，內(nèi)部有 IC，對溫度和靜電異常的敏感，要做好防靜電措施以防擊穿 IC。低功能，快速啟動(dòng)，低電壓工作，低電平驅(qū)動(dòng)和低電流消耗已成為一個(gè)趨勢。在焊接過程中一定到嚴(yán)格按照推薦的回流焊溫度曲線圖進(jìn)行操作。其中更需注意的是控制好溫度升降速度，溫度變化太快容易造成熱沖擊，對晶振造成不可恢復(fù)性的破壞。

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