模塊能否支持熱插撥

"熱插撥"簡(jiǎn)單地說(shuō)就是在不關(guān)閉供電電源的情況下，直接拔下或插上系統(tǒng)中的電源模塊。模塊在工作時(shí)是不允許熱插撥的，這是因?yàn)樵跓岵鍝芩查g會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很大的電流、電壓尖峰，這個(gè)數(shù)值可能是模塊輸入電壓、電流的幾倍甚至幾十倍以上，對(duì)模塊內(nèi)部的器件產(chǎn)生很大的沖擊，惡劣的情況下可能會(huì)損壞模塊，因此模塊工作時(shí)是不允許熱插撥的。

模塊電源的啟動(dòng)不良可能的原因

原因一：實(shí)際應(yīng)用時(shí)，容性負(fù)載超過(guò)模塊技術(shù)手冊(cè)的容性負(fù)載上限，輸出電容過(guò)大，開(kāi)機(jī)瞬間需要很大的啟動(dòng)電流，會(huì)引起模塊的啟動(dòng)不良，建議減小輸出端所接電容或是在輸出端加緩沖電路以提高模塊帶容性負(fù)載的能力。

原因二：受本安電源啟動(dòng)電流限制，本安電源提供的功率不滿(mǎn)足模塊的啟動(dòng)功率要求（模塊在啟動(dòng)時(shí)需要較大的啟動(dòng)功率）， 建議選擇我司啟動(dòng)電流小的產(chǎn)品或者在模塊輸入端串小電阻或者 NTC降低模塊的啟動(dòng)電流。

原因三：感性負(fù)載（一般為電機(jī)線圈）在開(kāi)機(jī)瞬間線圈未產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)，只有線圈的內(nèi)阻r在整個(gè)回路中工作，線圈的內(nèi)阻很?。ㄒ话?mΩ級(jí)～Ω級(jí)），根據(jù)rVI ? ，啟動(dòng)瞬間產(chǎn)生的電流會(huì)很大，超過(guò)模塊的過(guò)流保護(hù)點(diǎn)，導(dǎo)致模塊出現(xiàn)保護(hù)現(xiàn)象，啟動(dòng)不良。對(duì)于功率小的模塊，建議在輸出串聯(lián)一個(gè)小電阻，或是選用功率大一點(diǎn)的模塊電源。

開(kāi)關(guān)電源比線性電源會(huì)產(chǎn)生更多的干擾，對(duì)共模干擾敏感的用電設(shè)備，應(yīng)采取接地和屏蔽措施，按ICE1000、EN61000、FCC等EMC限制，開(kāi)關(guān)電源均采取EMC電磁兼容措施，因此開(kāi)關(guān)電源一般應(yīng)帶有EMC電磁兼容濾波器。如利德華福技術(shù)的HA系列開(kāi)關(guān)電源，將其FG端子接大地或接用戶(hù)機(jī)殼，方能滿(mǎn)足上述電磁兼容的要求。

隨著5G、智能制造、物聯(lián)網(wǎng)、新能源等新興產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，模塊電源作為電力傳輸和轉(zhuǎn)換不可替代的設(shè)備，必將有力推動(dòng)模塊電源產(chǎn)業(yè)發(fā)展和技術(shù)創(chuàng)新。

就5G而言，由于5G基a站需要更多的天線、更多的射頻元件、更高頻率的無(wú)線電等等，顯然對(duì)電源管理芯片的需求更大。此外，為了實(shí)現(xiàn)同樣的覆蓋范圍，5G基a站將采用更密集的組網(wǎng)方式，預(yù)計(jì)我國(guó)5G宏基基a站的數(shù)量將達(dá)到500萬(wàn)個(gè)左右，相當(dāng)于4G基a站的1.5倍，再加上微型基a站的市場(chǎng)會(huì)更可觀，電源管理芯片的規(guī)模也會(huì)水漲船高。同時(shí)，工業(yè)4.0也方興未艾，同樣蘊(yùn)藏著巨大的發(fā)展機(jī)遇。對(duì)工業(yè)4.0和5G基a站而言，需要更短的開(kāi)發(fā)周期，更小的尺寸，更大的散熱，EMI噪聲的抑制，F(xiàn)PGA等復(fù)雜的電源順序管理，以及高速ADC/DAC的低噪聲供電，這些都需要全a面提升到新的“高度”。