1、真空鍍膜工藝在信息存儲(chǔ)范疇中的運(yùn)用薄膜資料作為信息記載于存儲(chǔ)介質(zhì)，有其得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)：因?yàn)楸∧ず鼙∧軌蚴韬鰷u流損耗；磁化回轉(zhuǎn)極為敏捷；與膜面平行的雙穩(wěn)態(tài)狀況簡(jiǎn)單保持等。為了更精細(xì)地記載與存儲(chǔ)信息，必定要選用鍍膜技能。

2、真空鍍膜工藝在傳感器方面的運(yùn)用在傳感器中，多選用那些電氣性質(zhì)相關(guān)于物理量、化學(xué)量及其變化來說，極為敏感的半導(dǎo)體資料。此外，其中大多數(shù)運(yùn)用的是半導(dǎo)體的外表、界面的性質(zhì)，需求盡量增大其面積，且能工業(yè)化、低報(bào)價(jià)制造、因而選用薄膜的狀況許多。

借助一種惰性氣體的輝光放電使金屬或合金蒸汽離子化。離子鍍包括鍍膜材料（如TiN，TiC）的受熱、蒸發(fā)、沉積過程。

蒸發(fā)的鍍膜材料原子在經(jīng)過輝光區(qū)時(shí)，一小部分發(fā)生電離，并在電場(chǎng)的作用下飛向工件，以幾千電子伏的能量射到工件表面，可以打入基體約幾納米的深度，從而大大提高了涂層的結(jié)合力，而未經(jīng)電離的蒸發(fā)材料原子直接在工件上沉積成膜。惰性氣體離子與鍍膜材料離子在工件表面上發(fā)生的濺射，還可以清除工件表面的污染物，從而改善結(jié)合力。

人們把等離子體、離子束引入到傳統(tǒng)的物理氣相沉積技術(shù)的蒸發(fā)和濺射中，參與其鍍膜過程，同時(shí)通入反應(yīng)氣體，也可以在固體表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，生成新的合成產(chǎn)物固體相薄膜，稱其為反應(yīng)鍍。

在濺射鈦(Ti)等離子體中通入反應(yīng)氣體N2后合成TiN就是一例。

這就是說物理氣相沉積也可以包含有化學(xué)反應(yīng)。又如，在反應(yīng)室內(nèi)通入，借助于w靶陰極電弧放電，在Ar，W等離子體作用下使分解，并在固體表面實(shí)現(xiàn)碳鍵重組，生成摻W的類金剛石碳減摩膜，人們習(xí)慣上把這種沉積過程仍歸入化學(xué)氣相沉積，但這是在典型的物理氣相沉積技術(shù)——金屬陰極電弧離子鍍中實(shí)現(xiàn)的。