導(dǎo)致靶面各單元的電阻值不同。與較亮像素對(duì)應(yīng)的靶單元阻值較小，與較暗像素對(duì)應(yīng)的靶單元阻值較大，這樣一幅圖像上各像素的不同亮度就表現(xiàn)為靶面上各單元的不同電阻值，原來(lái)按照明暗分布的“光像”就變成了相應(yīng)的“電像”。這一過(guò)程有兩種解決途徑，最常見的一種是使用以硅為主要材料的固體裝置，另一種則是使用光敏染料分子來(lái)捕獲光子的能量。從電子槍陰極發(fā)出的電子，在電子槍電場(chǎng)作用下高速射向靶面，并在偏轉(zhuǎn)磁場(chǎng)作用下按照掃描規(guī)律掃過(guò)靶面上的各個(gè)單元。當(dāng)電子束接觸到靶面某個(gè)單元時(shí)，使陰極、光電靶、負(fù)載電阻RL及電源E構(gòu)成一個(gè)回路。

光電效應(yīng)當(dāng)電子從外界獲得能量時(shí)將會(huì)跳到較高的能階，獲得的能量越多跳的能階也越高，電子處在較高的能階時(shí)并不穩(wěn)定，很快就會(huì)把獲得的能量釋放回到原來(lái)的能階。如果電子獲得的能量夠高就擺脫原子核的束縛成為自由電子，電子空出來(lái)的位置則稱為空穴。硫化1鎘光敏電阻對(duì)可見光敏感,用硫1化鎘單晶制造的光敏電阻對(duì)X射線、γ射線也敏感。自由電子可能會(huì)因?yàn)槟Σ粱蚺鲎驳纫蛩負(fù)p失能量，后受到空穴的吸引而復(fù)合。例如，硅的外層電子要成為自由電子需要吸收1.1ev的能量，當(dāng)硅外層電子吸收到的光能量超過(guò)1.1ev時(shí)將會(huì)產(chǎn)生自由電子及空穴

半導(dǎo)體光電器件是把光和電這兩種物理量聯(lián)系起來(lái)，使光和電互相轉(zhuǎn)化的新型半導(dǎo)體器件。光電器件主要有：利用半導(dǎo)體光敏特性工作的光電導(dǎo)器件、利用半導(dǎo)體光伏打效應(yīng)工作的光電池和半導(dǎo)體發(fā)光器件等。一、 光電導(dǎo)器件半導(dǎo)體材料的光敏特性，即當(dāng)半導(dǎo)體材料受到一定波長(zhǎng)光線的照射時(shí),其電阻率明顯減小,或說(shuō)電導(dǎo)率增大的特性。在負(fù)載RL中有電流流過(guò)，其電流大小取決于光電靶在該單元的電阻值大小。這個(gè)現(xiàn)象也叫半導(dǎo)體的光電導(dǎo)特性。利用這個(gè)特性制作的半導(dǎo)體器件叫光電導(dǎo)器件。

當(dāng)光電池兩端接有負(fù)載時(shí)，將有電流流過(guò)負(fù)載,起著電池的作用。硅光電池的用途極度為廣泛。主要用于下述幾個(gè)方面：能源----硅光電池串聯(lián)或并聯(lián)組成電池組與鎳鎘電池配合、可作為人造成衛(wèi)1星、宇宙飛船、航標(biāo)燈、無(wú)人氣象站等設(shè)備的電源；也可做電子手表、電子計(jì)算器、小型號(hào)汽車、游艇等的電源。多晶硅薄片制成的太陽(yáng)能電池，雖然光電轉(zhuǎn)換效率不高（約10%），但價(jià)格低廉，已獲得大量應(yīng)用。光電檢測(cè)器件----用作近紅外探測(cè)器、光電讀出、光電耦合、激光準(zhǔn)直、電影還音等設(shè)備的光感受器。