正負(fù)光刻膠

正負(fù)光刻膠

光刻膠分負(fù)性膠和正性膠兩類(lèi)。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠；反之，對(duì)某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。正膠的圖像與掩模板的圖像是一致的，故此叫正膠，利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。

一般來(lái)說(shuō)線寬的用正膠,線窄的用負(fù)膠! 正性光刻膠比負(fù)性的精度要高，負(fù)膠顯影后圖形有漲縮，負(fù)性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優(yōu)于0.5μm 導(dǎo)致影響精度，正性膠則無(wú)這方面的影響。光刻工藝約占整個(gè)芯片制造成本的35%，耗時(shí)占整個(gè)芯片工藝的40%~60%，是半導(dǎo)體制造中最核心的工藝。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負(fù)性膠的分辨率，但是薄負(fù)性膠會(huì)影響孔。同種厚度的正負(fù)膠，在對(duì)于抗?jié)穹ê透g性方面負(fù)膠更勝一籌，正膠難以企及。賽米萊德提供美國(guó)Futurrex的光刻膠的供應(yīng)與技術(shù)參數(shù)。

NR9-3000PYNR9 3000P光刻膠報(bào)價(jià)

二、預(yù)烘和底膠涂覆（Pre-bake and Primer Vapor）

由于光刻膠中含有溶劑，所以對(duì)于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強(qiáng)光刻膠與表面的黏附性、通常大約100 °C。這是與底膠涂覆合并進(jìn)行的。

底膠涂覆增強(qiáng)光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。廣泛使用: (HMDS)、在PR旋轉(zhuǎn)涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。

美國(guó)Futurre光刻膠

30．想請(qǐng)教國(guó)產(chǎn)光刻膠不能達(dá)到膜厚要求，進(jìn)口的有沒(méi)有比較好的光刻膠??？

都可以??！goodpr是大陸比較多公司采用的，

但是Futurre 光刻膠在國(guó)外是比較有名氣的，包括很多大型企業(yè)都有用，膜厚做的也

比較厚從18um-200um都 可以做到，看你對(duì)工藝的要求了。

光刻膠品牌FUTURRE光刻膠產(chǎn)品屬性：

1  FUTURRE光刻膠產(chǎn)品簡(jiǎn)要描述及優(yōu)勢(shì):

1.1   Futurre光刻膠黏附性好，無(wú)需使用增粘劑（HMDS）

1.2  負(fù)性光刻膠常溫下可保存3年

1.3  150度烘烤，縮短了烘烤時(shí)間

1.4  單次旋涂能夠達(dá)到100um膜厚

1.5  顯影速率快，100微米的膜厚，僅需6~8分鐘

光刻膠

光刻膠由光引發(fā)劑、樹(shù)脂、溶劑等基礎(chǔ)組分組成，又被稱為光致抗蝕劑，這是一種對(duì)光非常敏感的化合物。4,曝光前烘好的存底放在光刻膠襯底放在光刻機(jī)上，經(jīng)與光刻版對(duì)準(zhǔn)后，進(jìn)行曝光，接受光照的光刻膠發(fā)生化學(xué)變化，形成潛影，光源與光刻膠相匹配，也就是光源波長(zhǎng)在光刻膠的敏感波段。此外，光刻膠中還會(huì)添加光增感劑、光致產(chǎn)酸劑等成分來(lái)達(dá)到提高光引發(fā)效率、優(yōu)化線路圖形精密度的目的。在受到紫外光曝光后，它在顯影液中的溶解度會(huì)發(fā)生變化。

分類(lèi)

根據(jù)光刻膠按照如何響應(yīng)紫外光的特性可以分為兩類(lèi)。

正膠

曝光前對(duì)顯影液不可溶，而曝光后變成了可溶的，能得到與掩模板遮光區(qū)相同的圖形。

優(yōu)點(diǎn)：分辨率高、對(duì)比度好。

缺點(diǎn)：粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。

靈敏度：曝光區(qū)域光刻膠完全溶解時(shí)所需的能量

負(fù)膠egative






Photo Resist）

與正膠反之。

優(yōu)點(diǎn)： 良好的粘附能力和抗刻蝕能力、感光速度快。

缺點(diǎn)： 顯影時(shí)發(fā)生變形和膨脹，導(dǎo)致其分辨率。

靈敏度：保留曝光區(qū)域光刻膠原始厚度的50%所需的能量。