測量目的：對模塊的電壓降參數(shù)進(jìn)行檢測, 可判斷模塊是否處于正常狀態(tài)。 功率模塊的VCE-IC特性曲線會隨著器件使用年限的增加而變化，飽和壓降Vcesat會逐漸劣化。因此，定期檢測可預(yù)防發(fā)現(xiàn)功率模塊故障。且變流器由多個(gè)模塊組成，由于個(gè)體差異，大電流情況下的參數(shù)也會存在個(gè)體差異。1V -30V～30VQg柵極電荷 400~20000nC Ig:0～50A±3%±0。因此，測量大電流情況下的各個(gè)模塊實(shí)際技術(shù)參數(shù)，進(jìn)行跟蹤管理，可有效保障機(jī)車中間直流環(huán)節(jié)可靠運(yùn)行。 IGBT模塊VCE-IC特線（單管），Vcesat隨電流變大而增大。

測試參數(shù)： ICES 集電極-發(fā)射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓 ICON 通態(tài)電極電流 VGEON 通態(tài)柵極電壓 VF 二極管正向?qū)▔航? 整個(gè)測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。對其測試數(shù)據(jù)極為滿意，解決了特大功率器件因無法測試給機(jī)車在使用帶來的工作不穩(wěn)定、器件易燒壞、易等問題。

IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)技術(shù)要求

1、設(shè)備概述

該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態(tài)參數(shù)測試，以表征器件的動態(tài)特性，通過測試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動態(tài)參數(shù)測試。

2、需提供設(shè)備操作手冊、維修手冊、零部件清單、基礎(chǔ)圖、設(shè)備總圖、部件裝配圖、電氣原理圖、全機(jī)潤滑系統(tǒng)圖、電氣接線用、計(jì)算機(jī)控制程序軟件及其他必要的技術(shù)文件，設(shè)備有通訊模塊必須提供通訊協(xié)議及其他必要的技術(shù)文件，所有資料必須準(zhǔn)備（正本、副本）各一份，電子版一份；西門子PLC邏輯控制15）數(shù)據(jù)采集與處理單元用于數(shù)據(jù)采集及數(shù)據(jù)處理，主要技術(shù)參數(shù)要求如下：。（正本、副本）技術(shù)資料，應(yīng)至少有一份采用中文，另一份技術(shù)資料可以是英文或中文。