MBR1045CT采用俄羅斯米克朗(Mikron)高抗沖擊能力芯片；其高抗沖擊性能尤為顯著，框架材質(zhì)為100％純銅材料，黑膠部分采用復(fù)合材料環(huán)氧塑脂材料一次性澆鑄成型；采用臺灣健鼎的一體化測試設(shè)備，減少人工操作環(huán)節(jié).在品質(zhì)工藝上:二極管制作是使用的健鼎一體化自動生產(chǎn)線設(shè)備,全程工藝由電腦控制，模具更為精密完全杜絕毛刺，外觀光滑自然美觀。

UL為美國安規(guī)認(rèn)證，是世界上安全試驗和鑒定機構(gòu)整流橋

代表安全檢檢產(chǎn)品運作良率是世界上安全試驗和鑒定機構(gòu)

激光打標(biāo)，解決油墨絲印易掉色問題，黑膠材質(zhì)是采用進(jìn)口環(huán)氧塑脂材料

我司技術(shù)力量雄厚，可協(xié)同用戶研發(fā)、設(shè)計新產(chǎn)品，并可提供現(xiàn)場指導(dǎo)。

“誠信”是強元芯屹立于行業(yè)之本，未來，我們?nèi)詫∈亍罢\信，專業(yè)，務(wù)實”的服務(wù)理念，不斷完 善創(chuàng)新，努力為客戶和公司同仁共創(chuàng)雙嬴。

編輯：DD

如圖所示，ASEMI肖特基二極管解剖圖放大后的芯片附近，在基片下邊形成N 陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖所示。當(dāng)在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負(fù)極)時，肖特基勢壘層變窄，其內(nèi)阻變小;反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。

采用這種結(jié)構(gòu)的SBD，擊穿電壓由PN結(jié)承受。通過調(diào)控N-區(qū)電阻率、外延層厚度和P 區(qū)的擴(kuò)散深度，使反偏時的擊穿電壓突破了100V這個長期不可逾越的障礙，達(dá)到150V和200V。在正向偏置時，高壓SBD的PN結(jié)的導(dǎo)通門限電壓為0.6V，而肖特基勢壘的結(jié)電壓僅約0.3V，故正向電流幾乎全部由肖特基勢壘供給。

在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當(dāng)在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負(fù)極)時，肖特基勢壘層變窄，其內(nèi)阻變小;反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。

　　采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護(hù)二極管使用。它有單管式和對管(雙二極管)式兩種封裝形式