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發(fā)布時(shí)間:2020-11-13 08:27  
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經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展,亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工,特別在半導(dǎo)體制程上,蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
蝕刻:一種將材料使用bai化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而du移除的技術(shù)。通常所指蝕刻也稱光化學(xué)蝕刻,指通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除,在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液,達(dá)到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。
實(shí)際曝光bai能量需根據(jù)干膜種類、厚度du或油墨種類/厚度/烘烤時(shí)間確定,正常線路曝光使zhi用能量40 -- 120mj/cm2,油墨曝光能dao量150-500mJ/cm2,具體以曝光尺為準(zhǔn);線路曝光尺5 --8格,油墨的曝光尺做到9--13格。
曝光時(shí)必須抽真空充分,以免曝光不良,一般要求650mmHg以上真空度;
顯影時(shí),顯影點(diǎn)控制在50 --70%以內(nèi),壓力1.5--2.0kg/cm2。
曝光過度會(huì)導(dǎo)致顯影不凈;曝光能量不足會(huì)導(dǎo)致顯影過度。
對(duì)于不同曝光級(jí),物理顯影銀都呈顆粒狀.在較弱曝光級(jí),物理顯影銀顆粒數(shù)目多,堆積緊密,這也是影像區(qū)呈現(xiàn)親油性的主要原因.
隨著曝光量的增強(qiáng),銀顆粒數(shù)目逐級(jí)減少,影像的反射密度也逐級(jí)降低.這是因?yàn)殡S著曝光量的增加,乳劑層中化學(xué)顯影過程增強(qiáng),消耗了鹵化銀,降低了絡(luò)合銀離子的濃度,因而在物理顯影核層沉積形成的銀顆粒數(shù)量減少.在較強(qiáng)曝光區(qū),只有少量的物理顯影銀顆粒零散地分布在版材表面,銀影像密度只有0 18,版材表面變成了親水性.