金屬硅是由石英和焦炭在電熱爐內(nèi)冶煉成的產(chǎn)品，主成分硅元素的含量在98%左右（近年來，含Si量99.99%的也歸在金屬硅內(nèi)），其余雜質(zhì)為鐵、鋁、鈣等。半導體硅用于制作半導體器件的高純度金屬硅。因其用途不同而劃分為多種規(guī)格。據(jù)統(tǒng)計，1985年全世界共消耗金屬硅約50萬噸，其中用于鋁合金的金屬硅約占60%，用于有機硅的不足30%，用于半導體的約占3%，其余用于鋼鐵冶煉及精密陶瓷等。但使用硬質(zhì)合金應運用經(jīng)PVD(物理鍍層)方法、不含鋁元素的、膜層厚度較小的刀具。

生產(chǎn)中可根據(jù)渣量和渣的流動性來判斷爐渣堿度，正常冶煉時，每爐的渣量和鐵量在一定范圍內(nèi)波動。若出渣過多，出鐵較少，說明堿度高；若渣量少，流不出來，出鐵口掛渣，說明堿度低。

爐渣的流動性和堿度直接相關，渣稀，堿度就高、渣粘、堿度就低。二氧化硅是較難還原的氧化物，它的還原程度與還原劑的用量特別是與爐溫有關。因此，冶煉硅含量較高的硅錳合金除適當增加還原劑的用量外，關鍵是怎樣提高爐內(nèi)的溫度。

不同的制粉方法得到的硅粉活性是有區(qū)別的，判定活性的因素為：粉粒的微觀結(jié)構(gòu)，比表面積、粒徑級配、表面保護和設備鋼耗等。

化學成份符合要求指標的硅，煉制中已獲得較佳微觀結(jié)構(gòu)，保證其擁有參與反應的較佳活性，即其天性或自然性能，制粉時一定要盡量降低對其天然微觀結(jié)構(gòu)的劣化作用，減少其晶粒及晶粒群間的變形，使絕大部分硅粉仍保持住原有的天然微觀結(jié)構(gòu)。

硅粉比表面積大，參與反應速度加快，反應更完善，硅的利用率高，反應區(qū)域流化態(tài)更理想，硅耗率較低，從而顯示其活性高。