封裝過程為：來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝后，被切割為小的晶片，然后將切割好的晶片用膠水貼裝到相應(yīng)的基板（引線框架）架的小島上，再利用超細(xì)的金屬（金、錫、銅、鋁）導(dǎo)線或者導(dǎo)電性樹脂將晶片的接合焊盤連接到基板的相應(yīng)引腳,并構(gòu)成所要求的電路。Single-ended中COF是將芯片直接粘貼在柔性線路板上(現(xiàn)有的用Flip-Chip技術(shù))，再經(jīng)過塑料包封而成，它的特點(diǎn)是輕而且很薄，所以當(dāng)前被廣泛用在液晶顯示器(LCD)上，以滿足LCD分辨率增加的需要。氣派科技目前走的還是傳統(tǒng)封裝技術(shù)路線，降低成本可以說是非常重要了。封裝引腳之間距離很小、管腳很細(xì)，一般大規(guī)模或超大規(guī)模集成電路采用這種封裝形式。其引腳數(shù)一般從幾十到幾百，而且其封裝外形尺寸較小、寄生參數(shù)減小、適合高頻應(yīng)用。該封裝主要適合用SMT表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線。

WLCSP生產(chǎn)周期和成本大幅下降，芯片所需引腳數(shù)減少，提高了集成度；引腳產(chǎn)生的電磁干擾幾乎被消除，采用此封裝的內(nèi)存可以支持到800MHz的頻率，容量可達(dá)1GB，所以它號(hào)稱是未來封裝的主流。它的不足之處是芯片得不到足夠的保護(hù)。此外，這種封裝技術(shù)的聚合物層末端靠近裸片邊緣，因?yàn)闊崤蛎浵禂?shù)（CTE）失匹，這個(gè)區(qū)域會(huì)出現(xiàn)附加的殘余應(yīng)力。幾年之前封裝本體面積與芯片面積之比通常都是幾倍到幾十倍，但近幾年來有些公司在BGA、TSOP的基礎(chǔ)上加以改進(jìn)而使得封裝本體面積與芯片面積之比逐步減小到接近1的水平，所以就在原來的封裝名稱下冠以芯片級(jí)封裝以用來區(qū)別以前的封裝。多芯片模塊具有以下特點(diǎn)：封裝密度更高，電性能更好，與等效的單芯片封裝相比體積更小。如果采用傳統(tǒng)的單個(gè)芯片封裝的形式分別焊接在印刷電路板上，則芯片之間布線引起的信號(hào)傳輸延遲就顯得非常嚴(yán)重，尤其是在高頻電路中，而此封裝優(yōu)點(diǎn)就是縮短芯片之間的布線長(zhǎng)度，從而達(dá)到縮短延遲時(shí)間、易于實(shí)現(xiàn)模塊高速化的目的。

Single-ended此封裝形式的特點(diǎn)是引腳全部在一邊，而且引腳的數(shù)量通常比較少。DIP(DualIn-linePACkage)：雙列直插式封裝，插裝型封裝之一，指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，體積比較大。它又可分為：導(dǎo)熱型，像常用的功率三極管，只有三個(gè)引腳排成一排，其上面有一個(gè)大的散熱片。幾年之前封裝本體面積與芯片面積之比通常都是幾倍到幾十倍，但近幾年來有些公司在BGA、TSOP的基礎(chǔ)上加以改進(jìn)而使得封裝本體面積與芯片面積之比逐步減小到接近1的水平，所以就在原來的封裝名稱下冠以芯片級(jí)封裝以用來區(qū)別以前的封裝。Single-ended中COF是將芯片直接粘貼在柔性線路板上(現(xiàn)有的用Flip-Chip技術(shù))，再經(jīng)過塑料包封而成，它的特點(diǎn)是輕而且很薄，所以當(dāng)前被廣泛用在液晶顯示器(LCD)上，以滿足LCD分辨率增加的需要。