銀芝麻重防腐涂料——山東金芝麻環(huán)保

一般來(lái)說(shuō)，碳化硅耐火材料具有多方面的優(yōu)良性能，例如，在比較寬的溫度范圍內(nèi)具有高的強(qiáng)度、高的抗熱震性、優(yōu)良的耐磨性能、高的熱導(dǎo)率、耐化學(xué)腐蝕性等。不過(guò)，也應(yīng)看到，它的弱點(diǎn)是能力差，由此而造成高溫積脹大、變形等降低了使用壽命。

為了提高碳化硅耐火材料的性能，在結(jié)合劑方面做了不少的選擇工作。使用粘土(包括氧化物)結(jié)合，但并未能起到保護(hù)作用，碳化硅顆粒仍然受到氧化和侵蝕。50年代末，選擇用氮化硅(Si3N4)結(jié)合，作為碳化硅耐火材料的改進(jìn)產(chǎn)品，確實(shí)具有很好的性(見圖1)，且無(wú)顯著的膨脹現(xiàn)象。但是價(jià)格較貴；加之在反復(fù)加熱冷卻時(shí)有突然破壞的可能；而氮化硅本身的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)帶有滲透性，不能從根本上保護(hù)碳化硅不被氧化。60年代初，又出現(xiàn)了用氧氮化硅(Si2ON2)結(jié)合的碳化硅耐火材料，比之氮化硅結(jié)合具有更好的性能，因?yàn)檠醯枵掣接谔蓟璞砻娴难趸璞∧?，并與其反應(yīng)形成和碳化硅牢固結(jié)合的連續(xù)保護(hù)膜。同時(shí)，這種材料的價(jià)格適當(dāng)，相當(dāng)于用氧化物結(jié)合的碳化硅材料。

硅化可在普通大氣壓的碳管爐內(nèi)進(jìn)行，硅化溫度必須大于2000℃。如果在66.65MPa的真空爐中進(jìn)行，則硅化溫度可降到1500~1600℃。產(chǎn)生硅蒸氣所用的硅粉顆粒尺寸為0.991~4.699mm。在大氣壓力下硅化時(shí)，硅粉可裝在石墨坩堝里。在真空下硅化時(shí)，則應(yīng)裝在氮化硼(BN)坩堝里，因?yàn)榇藭r(shí)硅會(huì)滲入石墨中并作用形成碳化硅而使石墨坩堝，而氮化硼與硅不潤(rùn)濕。硅化所需的時(shí)間依據(jù)硅化的溫度及在該溫度下的硅的揮發(fā)量的不同而變化。在硅化完成后，坩堝內(nèi)通常不應(yīng)該再有硅殘留而都蒸發(fā)了。由于蒸發(fā)而附著在制品表面上的硅可用熱的處理除去。自結(jié)合碳化硅制品的強(qiáng)度為一般碳化硅制品的7~10倍，且能力提高了。

目前，吸波材料在各個(gè)領(lǐng)域中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。尤其在領(lǐng)域，為了加強(qiáng)自身建設(shè)，通常將吸波材料涂層應(yīng)用于戰(zhàn)斗表面，以達(dá)到“隱身”的目的。吸波材料在裝備力量與電子科技中占據(jù)重要地位。

在國(guó)際上，美國(guó)對(duì)吸波材料作為“隱身材料”的應(yīng)用已經(jīng)較為成熟，例如，美國(guó)將吸波性能良好的碳化硅材料作為涂層涂于軍事表面，減弱目標(biāo)向外散發(fā)的雷達(dá)特征與紅外線等，使得敵軍無(wú)法檢測(cè)到目標(biāo)，從而在中占據(jù)優(yōu)勢(shì) [1-2]。在海灣和科索沃，人們都可以看到有關(guān)“隱身材料”的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)。因此，吸波材料作為“隱身”技術(shù)的應(yīng)用越來(lái)越重要，為增強(qiáng)我國(guó)軍事實(shí)力，建設(shè)事業(yè)，必須對(duì)吸波材料進(jìn)行深入研究與應(yīng)用。

較為常見的吸波材料為碳化硅，可以用于一些電子設(shè)備、屏蔽設(shè)備等，尤其在信息化中，可以減弱目標(biāo)的光電特征、紅外信號(hào)等 [3]。碳化硅作為吸波材料，分為不同的類型，如鐵磁金屬微粉吸波材料、鐵氧體吸波材料、納米吸波材料、多晶鐵纖維吸波材料、陶瓷吸波材料、導(dǎo)電高聚物吸波材料。本文就通過(guò)試驗(yàn)研究碳化硅涂層的吸波性能，以期為事業(yè)作出貢獻(xiàn)。

討論

通過(guò)試驗(yàn)可得，碳化硅涂層越薄，吸波能力越低；涂層中所含碳化硅含量越低，吸波能力越低。當(dāng)涂層厚度與碳化硅含量達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，涂層可承受 250℃高溫。在 150℃環(huán)境中，厚度為 1mm 的碳化硅涂層吸收強(qiáng)度保持在 20dB 左右。

通過(guò)對(duì)比分析可知，碳化硅涂層的適吸波能力為1mm，碳化硅涂層的多波段吸收可以跨越不同厚度的涂層。隨著碳化硅涂層厚度的減小，涂層吸收峰的峰位逐漸轉(zhuǎn)為高頻。

在一定范圍內(nèi)，吸收峰的峰位變化與碳化硅含量成正比，碳化硅含量增加，則吸收峰峰位向高頻移動(dòng)。相反，涂層厚度與吸收峰的峰位成反比，厚度增加，則吸收峰峰位移向低頻段。當(dāng)涂層厚度 1mm 時(shí)，碳化硅涂層的吸波性能佳。