高壓固態(tài)軟啟動(dòng)裝置采用組件式結(jié)構(gòu)，模塊化安裝方式。具有多重過(guò)電壓吸收、保護(hù)技術(shù)。

瞬態(tài)的dv/dt,雷電沖擊電壓、操作波過(guò)電壓等暫態(tài)過(guò)度過(guò)程進(jìn)行多層限幅鉗位。對(duì)di/dt、閥開(kāi)通、閥關(guān)斷過(guò)程的均壓都有獨(dú)到的措施和方法。

采用高抗干擾的數(shù)字式觸發(fā)器，CT隔離傳輸觸發(fā)脈沖，使高壓裝置與低壓裝置做得一樣，安全可靠。

高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜起停原理 湖北鄂動(dòng)機(jī)電公司

軟停 制動(dòng)剎車

當(dāng)高壓固態(tài)軟起動(dòng)器設(shè)置了軟停時(shí)間，并且設(shè)置了剎車時(shí)間，軟起動(dòng)器首先斷開(kāi)旁路接觸器，軟起動(dòng)器的輸出電壓在設(shè)定的軟停車時(shí)間內(nèi)逐漸降至所設(shè)定的軟停終了電壓值，軟停車過(guò)程結(jié)束后在所定的剎車時(shí)間內(nèi)剎車。

制動(dòng)剎車

當(dāng)軟起動(dòng)器設(shè)置了剎車時(shí)間(1M09功能項(xiàng))并且選擇了剎車時(shí)間繼電器輸出，則當(dāng)軟起動(dòng)器自由停止后，剎車時(shí)間繼電器輸出信號(hào)在停(剎)車時(shí)間內(nèi)保持有效。用該時(shí)間繼電器輸出信號(hào)控制外置制動(dòng)單元或機(jī)械抱閘電氣控制單元。

高壓固態(tài)軟啟動(dòng)器一拖一的主要技術(shù)和相關(guān)要求。8、負(fù)載順應(yīng)性強(qiáng)，調(diào)試方便，可依據(jù)負(fù)載變化來(lái)方便，自在地調(diào)整一切參數(shù)，從而使得各種負(fù)載到達(dá)zui佳的起動(dòng)效果。它包括系統(tǒng)、設(shè)備及其附件的設(shè)計(jì)、選型、配套、結(jié)構(gòu)、性能、制造、安裝、試驗(yàn)、調(diào)試、試運(yùn)培訓(xùn)、技術(shù)服務(wù)、檢修和質(zhì)量保證等各方面的技術(shù)要求。本技術(shù)協(xié)議提出的是嘴低限度的技術(shù)要求，并未對(duì)一切技術(shù)細(xì)節(jié)做出規(guī)定，只引述了部分有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范，供方應(yīng)保證提供符合協(xié)議和有關(guān)醉新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品。

                                               高壓固態(tài)軟啟動(dòng)使用晶閘管質(zhì)量咋樣

 高壓固態(tài)軟啟動(dòng)器雙向可控硅的工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可 以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成   當(dāng)陽(yáng)極A加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí)，如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào)，BG2便有基流ib2流過(guò)，經(jīng)BG2放大，其集電 極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。5-5秒數(shù)字微處理器控制、液晶顯示，起動(dòng)過(guò)載和運(yùn)行過(guò)載兩級(jí)保護(hù)，低壓控制單元與高壓部分采用光纖隔離，機(jī)械和電子安全聯(lián)鎖裝置，MCC接線排(機(jī)電控制中心接線排)。此時(shí)，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流 ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個(gè)管子的電流劇增，可控硅 使飽和導(dǎo)通。 由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?，所以一旦可控硅?dǎo)通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號(hào)只起 觸發(fā)作用，沒(méi)有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。  由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開(kāi)關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化 2,觸發(fā)導(dǎo)通  在控制極G上加入正向電壓時(shí)因J3正偏，P2區(qū)的空穴時(shí)入N2區(qū)，N2區(qū)的電子進(jìn)入P2區(qū)，形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔玫幕A(chǔ)上，加上IGT的作用，使可控硅提前導(dǎo)通，導(dǎo)致圖3的伏安特性O(shè)A段左移，IGT越大，特性左移越快。