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發(fā)布時間:2020-08-25 00:00  
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與數(shù)字IC相比較,模擬IC更具備它自身獨特的屬性
雖然數(shù)字IC和模擬IC同屬于集成電路范疇,但兩者的基本工作原理截然不同,基本的工作原理的差異決定了數(shù)字IC和模擬IC不同的產品特性、設計思路、工藝選擇以及市場分布情況。
模擬集成電路行業(yè)具備以下四大特點:需求端:下游需求分散,產品生命周期較長。供給端:偏向于成熟和特種工藝,八寸產線為主供給。競:競爭格局分散,廠商之間競爭壓力小。技術端:行業(yè)技術壁壘較高,重經(jīng)驗以人為本。模擬IC產品生命周期較長,一旦切入產品便可以獲得穩(wěn)定的芯片出貨量。當我們對一個設計的引腳名字進行改動的時候,我們無須改動驅動這個接口的方法,而是只需要在例化該事務交易處理器的時候,給虛接口綁定對應連接的實體接口即可。
需求層面:模擬類產品下游汽車、工業(yè)用途要求以可靠性、安全行為主,偏好性能成熟穩(wěn)定類產品的同時資格認可相對較為嚴格,一般不低于一年半。
供給層面:先進制程對于模擬類產品推動作用較小,基本不受摩爾定律推動,因此模擬類產品性能更新迭代較慢。因此模擬類產品生命周期較長,一般不低于10年。的音頻放大器芯片NE5532生命周期長達30年,至今依然是多款音響設備的標配芯片。
數(shù)字ic后端設計(二)
4.時鐘樹生成(CTS Clock tree synthesis) 。
芯片中的時鐘網(wǎng)絡要驅動電路中所有的時序單元,所以時鐘源端門單元帶載很多,其負載很大并且不平衡,需要插入緩沖器減小負載和平衡。時鐘網(wǎng)絡及其上的緩沖器構成了時鐘樹。一般要反復幾次才可以做出一個比較理想的時鐘樹。---Clock skew.
5. STA 靜態(tài)時序分析和后。
時鐘樹插入后,每個單元的位置都確定下來了,工具可以提出GlobalRoute形式的連線寄生參數(shù),此時對參數(shù)的提取就比較準確了。SE把.V和.SDF文件傳遞給PrimeTime做靜態(tài)時序分析。確認沒有時序違規(guī)后,將這來兩個文件傳遞給前端人員做后。1VCC,動態(tài)測試失效機制:電子遷移,氧化層,相互擴散,不穩(wěn)定性,離子玷污等參考標準:125℃條件下1000小時測試通過IC可以保證持續(xù)使用4年,2000小時測試持續(xù)使用8年。對Astro 而言,在detail routing 之后,
用starRC XT 參數(shù)提取,生成的E.V和.SDF文件傳遞給PrimeTime做靜態(tài)時序分析,那將會更準確。
6. ECO(Engineering Change Order)。
針對靜態(tài)時序分析和后中出現(xiàn)的問題,對電路和單元布局進行小范圍的改動.
7. Filler的插入(pad fliier, cell filler)。
Filler指的是標準單元庫和I/O Pad庫中定義的與邏輯無關的填充物,用來填充標準單元和標準單元之間,I/O Pad和I/O Pad之間的間隙,它主要是把擴散層連接起來,滿足DRC規(guī)則和設計需要。
8. 布線(Routing)。
Global route-- Track assign --Detail routing--Routing optimization布線是指在滿足工藝規(guī)則和布線層數(shù)限制、線寬、線間距限制和各線網(wǎng)可靠絕緣的電性能約束的條件下,根據(jù)電路的連接關系將各單元和I/OPad用互連線連接起來,這些是在時序驅動(Timing driven )的條件下進行的,保證關鍵時序路徑上的連線長度能夠。如果必要在自動放置標準單元和宏單元之后,你可以先做一次PNA(powernetworkanalysis)--IRdropandEM。--Timing report clear
IC?耐久性測試
耐久性測試項目(Endurance test items )Endurance cycling test, Data retention test①周期耐久性測試(Endurance Cycling Test )
目的: 評估非揮發(fā)性memory器件在多次讀寫算后的持久性能
Test Method: 將數(shù)據(jù)寫入memory的存儲單元,在擦除數(shù)據(jù),重復這個過程多次
測試條件: 室溫,或者更高,每個數(shù)據(jù)的讀寫次數(shù)達到100k~1000k
具體的測試條件和估算結果可參考以下標準
MIT-STD-883E Method 1033
②數(shù)據(jù)保持力測試(Data Retention Test)
目的: 在重復讀寫之后加速非揮發(fā)性memory器件存儲節(jié)點的電荷損失
測試條件: 在高溫條件下將數(shù)據(jù)寫入memory 存儲單元后,多次讀取驗證單元中的數(shù)據(jù)
失效機制:150℃
具體的測試條件和估算結果可參考以下標準:
MIT-STD-883E Method 1008.2
在了解上述的IC測試方法之后,IC的設計制造商就需要根據(jù)不用IC產品的性能,用途以及需要測試的目的,選擇合適的測試方法,的降低IC測試的時間和成本,從而有效控制IC產品的質量和可靠度。
數(shù)字集成電路和模擬ic的難度系數(shù)相較于大一些,由于好的商品所必須的像上邊我常說的那般一個巨頭級別的室內設計師太少了。除了天賦勤奮的要素以外,更必須長期的打磨拋光。因此 全球最強的數(shù)字集成電路高手,絕大多數(shù)全是飽經(jīng)滄桑的老大爺。以一輩子的工作經(jīng)驗去漸漸地打磨拋光一款商品。Filler指的是標準單元庫和I/OPad庫中定義的與邏輯無關的填充物,用來填充標準單元和標準單元之間,I/OPad和I/OPad之間的間隙,它主要是把擴散層連接起來,滿足DRC規(guī)則和設計需要。
相相對而言,數(shù)字電路設計,如果不考慮到獨立加工工藝,立即用tsmc這類的代工生產得話,更非常容易拉起一直精英團隊的,每一個人只必須致力于一項,以團結協(xié)作制勝了。