在一些情況下，可以加入1-5%的氧氣來(lái)實(shí)現(xiàn)優(yōu)1質(zhì)的電弧穩(wěn)定性，同時(shí)在焊接邊緣實(shí)現(xiàn)更好的連接（浸濕）。為生產(chǎn)優(yōu)化、能源回收、安全控制、環(huán)保監(jiān)測(cè)和科研分析帶來(lái)極大的方便，在鋼鐵冶金、石油化工、環(huán)境保護(hù)和能源電力等行業(yè)已得到廣泛的應(yīng)用。氦保護(hù)氣需要較大的流速，以保證有效的將激光光束路徑上的金屬蒸汽排出。由于氦氣的單位成本高于ya氣，因此，這就增加了焊接過(guò)程中平均每英尺成本。

如果將氦（He）nai（Ne）激光作為1代氣體激光，二氧化碳激光是第二代氣體激光，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域?qū)⒋罅渴褂玫姆痥e（KrF）激光，可稱為第三代激光。激體分析儀是基于半導(dǎo)體激光吸收光譜（DLAS）技術(shù)的激體分析系統(tǒng)，能夠在各種環(huán)境（尤其是高溫、高壓、高粉塵、強(qiáng)腐蝕等惡劣環(huán)境下）進(jìn)行1氣體濃度等參量的在線測(cè)量。目前掌握激光甲1烷氣體探測(cè)芯片生產(chǎn)制造技術(shù)的國(guó)家主要是加拿大、美國(guó)、日本、挪威等甲1烷激體傳感器芯片大規(guī)模量產(chǎn)，也意味著將實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)口芯片。

如果將氦（He）nai（Ne）激光作為1代氣體激光，二氧化碳激光是第二代氣體激光，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域?qū)⒋罅渴褂玫姆痥e（KrF）激光，可稱為第三代激光。我們必須承認(rèn)，氦氣與ya氣相比，確實(shí)有比較高的電離率和較低的等離子體形成電壓，但是它的分子重量較小。因此，氦保護(hù)氣需要較大的流速。除了質(zhì)譜儀就只有激光氣體分析儀了。

激光區(qū)別于普通光源的重要特性之一是它良好的單色性能。從根本上排除了傳統(tǒng)氣體吸收譜技術(shù)測(cè)量某一氣體成分時(shí)受到氣體中其它成分吸收譜干擾的可能，更能反映待側(cè)成分的實(shí)際含量及微小變化。激體的作用：保護(hù)聚焦透鏡免受金屬蒸氣污染和液體熔滴的濺射，特別是高功率焊接，由于噴出物十分有力，因此保護(hù)透鏡十分有必要。二氧化碳激體激光光點(diǎn)隨著設(shè)計(jì)的要求進(jìn)行線性移動(dòng)，加工件形成的小孔進(jìn)而形成切割縫很小的切邊，一般只有0.1~0.5mm。