近兩年IGBT測(cè)試儀持續(xù)火爆，新能源汽車，軌道交通，風(fēng)力發(fā)電等等都需要大量的IGBT模塊，所以我們?nèi)A科智源推出了大功率IGBT測(cè)試儀，可以測(cè)試1200A，5000V以內(nèi)的IGBT模塊，基本可以涵蓋現(xiàn)階段的IGBT模塊的測(cè)試了，我們IGBT測(cè)試儀還可以在線檢測(cè)模塊的電性能參數(shù)，對(duì)一些檢修，維護(hù)領(lǐng)域的工作有比較好的幫助，目前國內(nèi)我們?nèi)A科智源不光是IGBT靜態(tài)測(cè)試儀，包括動(dòng)態(tài)測(cè)試儀，與的設(shè)備也可以放在一起競(jìng)爭(zhēng)了，而且我們不怕競(jìng)爭(zhēng)，這對(duì)我們是一種促進(jìn)。且變流器由多個(gè)模塊組成，由于個(gè)體差異，大電流情況下的參數(shù)也會(huì)存在個(gè)體差異。

三、華科智源IGBT測(cè)試儀系統(tǒng)特征： A：測(cè)量多種IGBT、MOS管 B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測(cè)試范圍廣； C：脈沖寬度 50uS~300uS D：Vce測(cè)量精度2mV E：Vce測(cè)量范圍>10V F：電腦圖形顯示界面 G：智能保護(hù)被測(cè)量器件 H：上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫功能 I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降 J : 一次測(cè)試IGBT全部靜態(tài)參數(shù) K: 生成測(cè)試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位） L:可以進(jìn)行不同曲線的對(duì)比，觀測(cè)同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài)，或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對(duì)比；半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)廠——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)線的成品進(jìn)行全參數(shù)的測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的合格率。

什么是大功率半導(dǎo)體元件？其用途為何？

凡是半導(dǎo)體元件如金屬氧化場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，均可屬于大功率的范圍。如下圖片所示。此類元件多用于車船，工廠的動(dòng)力，光電及其他能源的轉(zhuǎn)換上。主要參數(shù) 測(cè)試范圍 精度要求 測(cè)試條件Vce集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V。

表格12動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試部分組成

序號(hào) 組成部分 單位 數(shù)量

1 可調(diào)充電電源 套 1

2 直流電容器 個(gè) 8

3 動(dòng)態(tài)測(cè)試負(fù)載電感 套 1

4 安全工作區(qū)測(cè)試負(fù)載電感 套 1

5 補(bǔ)充充電回路限流電感L 個(gè) 1

6 短路保護(hù)放電回路 套 1

7 正常放電回路 套 1

8 高壓大功率開關(guān) 個(gè) 5

9 尖峰抑制電容 個(gè) 1

10 主回路正向?qū)ňчl管 個(gè) 2

11 動(dòng)態(tài)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 個(gè) 2

12 安全工作區(qū)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 個(gè) 3

13 被測(cè)器件旁路開關(guān) 個(gè) 1

14 工控機(jī)及操作系統(tǒng) 套 1

15 數(shù)據(jù)采集與處理單元 套 1

16 機(jī)柜及其面板 套 1

17 壓接夾具及其配套系統(tǒng) 套 1

18 加熱裝置 套 1

19 其他輔件 套 1