脈沖激光沉積系統(tǒng)配置介紹

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脈沖激光沉積系統(tǒng)配置：

生長室，進(jìn)樣室可選水平、垂直兩種靶臺(tái)可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺(tái)可選，激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓RHEED，工作氣壓可達(dá)100Pa可預(yù)留法蘭，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可選項(xiàng)如臭氧發(fā)生器，離子源，掩膜系統(tǒng)等。高能核素濺射表面的部分原子，而在入射流與受濺射原子之間，建立了一個(gè)碰撞區(qū)。

脈沖激光沉積原理

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脈沖激光沉積原理：在真空環(huán)境下利用脈沖激光對靶材表面進(jìn)行轟擊，利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質(zhì)轟擊出來，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。

脈沖激光沉積簡介

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專業(yè)脈沖激光沉積供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔ⅰ?

【設(shè)備主要用途】

PLD450A型脈沖激光沉積設(shè)備采用PLD脈沖激光沉積技術(shù)，用于制備高溫超導(dǎo)薄膜、半導(dǎo)體膜、鐵電薄膜、硬質(zhì)薄膜以及微電子和光電子用多元氧化物薄膜及異質(zhì)結(jié)，也可用于制備氮、碳、硅化合物及各種有機(jī)—無機(jī)復(fù)合材料薄膜及金剛石薄膜等。

【設(shè)備優(yōu)點(diǎn)】

設(shè)備全程采用一鍵式操作抽氣，關(guān)機(jī)，程序自動(dòng)化定時(shí)操作。避免了繁瑣的角閥，插板閥人工開啟。

【設(shè)備主要組成】

設(shè)備由沉積腔室（單室球形或圓筒形）、樣品加熱轉(zhuǎn)臺(tái)、激光入射轉(zhuǎn)靶、激光窗、電源控制系統(tǒng)、激光束掃描系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制轉(zhuǎn)靶的旋轉(zhuǎn)、脈沖準(zhǔn)分子激光器等組成