晶振

參數(shù)a. 標(biāo)稱頻率：在規(guī)定條件下，晶振的諧振中心頻率.

b. 調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度時(shí)的工作頻率相對標(biāo)稱頻率的偏離值.(ppm)

c. 溫度頻差：在規(guī)定條件下，在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)，相對于基準(zhǔn)溫度時(shí)工作頻率的允許偏離值.

d. 負(fù)載諧振電阻：晶振與外部電容相串聯(lián)，在負(fù)載諧振頻率時(shí)的電阻值.

e.負(fù)載電容： 是指與晶振一起決定負(fù)載諧振頻率的有效外界電容.常用標(biāo)準(zhǔn)值有：12pF 、 16pF 、 20pF 、 30pF.

振蕩器也可以分為插件和貼片。插件可以按大小和腳位來分。例如所謂全尺寸的，又稱長方形或者14pin，半尺寸的又稱正方形或者8pin。不過要注意的是，這里的14pin和8pin都是指振蕩器內(nèi)部核心IC的腳位數(shù)。振蕩器本身是4pin。而從不同的應(yīng)用層面來分，又可分為OSC（普通鐘振）、TCXO（溫補(bǔ)鐘振）、VCXO（壓控鐘振）、OCXO（恒溫鐘振）等等。

在振蕩器應(yīng)用上，振蕩器總是選擇很強(qiáng)的模式工作。一些干擾模式有急劇升降的頻率—溫度特性。有時(shí)候，當(dāng)溫度發(fā)生改變，在一定溫度下，寄生模的頻率與振蕩頻率一致，這導(dǎo)致了“活動(dòng)性下降”。在活動(dòng)性下降時(shí)，寄生模的激勵(lì)引起諧振器的額外能量的消耗，導(dǎo)致Q 值的減小，等效串聯(lián)電阻增大及振蕩器頻率的改變。當(dāng)阻抗增加到相當(dāng)大的時(shí)候，振蕩器就會停止，即振蕩器失效。當(dāng)溫度改變遠(yuǎn)離活動(dòng)性下降的溫度時(shí)，振蕩器又會重新工作。寄生模能有適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)和封裝方法控制。不斷修正電極與晶片的尺寸關(guān)系（即應(yīng)用能陷原則），并保持晶片主平面平行，這樣就能把寄生模很小化。

石英晶體振蕩器的基本原理

壓電效應(yīng)

若在石英晶體的兩個(gè)電極上加一電場，晶片就會產(chǎn)生機(jī)械變形。反之，若在晶片的兩側(cè)施加機(jī)械壓力，則在晶片相應(yīng)的方向上將產(chǎn)生電場，這種物理現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。如果在晶片的兩極上加交變電壓，晶片就會產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)，同時(shí)晶片的機(jī)械振動(dòng)又會產(chǎn)生交變電場。在一般情況下，晶片機(jī)械振動(dòng)的振幅和交變電場的振幅非常微小，但當(dāng)外加交變電壓的頻率為某一特定值時(shí)，振幅明顯加大，比其他頻率下的振幅大得多，這種現(xiàn)象稱為壓電諧振，它與LC回路的諧振現(xiàn)象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關(guān)。