脈沖激光沉積

以下內(nèi)容由沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供，希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助。

在一階段，激光束聚焦在靶的表面。達(dá)到足夠的高能量通量與短脈沖寬度時(shí)，靶表面的一切元素會(huì)快速受熱，到達(dá)蒸發(fā)溫度。物質(zhì)會(huì)從靶中分離出來(lái)，而蒸發(fā)出來(lái)的物質(zhì)的成分與靶的化學(xué)計(jì)量相同。物質(zhì)的瞬時(shí)熔化率大大取決于激光照射到靶上的流量。熔化機(jī)制涉及許多復(fù)雜的物理現(xiàn)象，例如碰撞、熱，與電子的激發(fā)、層離，以及流體力學(xué)。激光脈沖能做到特別短，譬如“皮秒”級(jí)別，就是說(shuō)脈沖的時(shí)間為皮秒這個(gè)數(shù)量級(jí)——而1皮秒等于一萬(wàn)億分之一秒。

在第二階段，根據(jù)氣體動(dòng)力學(xué)定律，發(fā)射出來(lái)的物質(zhì)有移向基片的傾向，并出現(xiàn)向前散射峰化現(xiàn)象?？臻g厚度隨函數(shù)cosnθ而變化，而n>>1。激光光斑的面積與等離子的溫度，對(duì)沉積膜是否均勻有重要的影響。靶與基片的距離是另一個(gè)因素，支配熔化物質(zhì)的角度范圍。亦發(fā)現(xiàn)，將一塊障板放近基片會(huì)縮小角度范圍。PioneerPLD系統(tǒng)的激光束入射角為45°，保持了激光密度在靶材上的均勻性，同時(shí)避免使用復(fù)雜而昂貴的光學(xué)部件。

第三階段是決定薄膜質(zhì)量的關(guān)鍵。放出的高能核素碰擊基片表面，可能對(duì)基片造成各種破壞。高能核素濺射表面的部分原子，而在入射流與受濺射原子之間，建立了一個(gè)碰撞區(qū)。膜在這個(gè)熱能區(qū)（碰撞區(qū)）形成后立即生成，這個(gè)區(qū)域正好成為凝結(jié)粒子的較佳場(chǎng)所。只要凝結(jié)率比受濺射粒子的釋放率高，熱平衡狀況便能夠快速達(dá)到，由於熔化粒子流減弱，膜便能在基片表面生成。隨著激光技術(shù)和設(shè)備的發(fā)展，特別是高功率脈沖激光技術(shù)的發(fā)展，脈沖激光沉積（PLD）技術(shù)的特點(diǎn)逐漸被人們認(rèn)識(shí)和接受以上就是關(guān)于脈沖激光沉積的相關(guān)內(nèi)容介紹，如有需求，歡迎撥打圖片上的熱線電話。

脈沖激光沉積系統(tǒng)的配置介紹

沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售脈沖激光沉積，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

1.靶: 數(shù)量6個(gè)，大小1-2英寸，被激光照射時(shí)可自動(dòng)旋轉(zhuǎn)，靶的選擇可通過(guò)步進(jìn)電機(jī)控制;

2.基板:采用適合于氧氣環(huán)境鉑金加熱片，大小2英寸，加熱溫度可達(dá)1200攝氏度，溫度差<3%，加熱時(shí)基板可旋轉(zhuǎn)，工作環(huán)境的壓力可達(dá)300mtorr;

3.基板加熱電源，高到1200度;

4.超高真空成膜室腔體:不銹鋼sus304材質(zhì)，內(nèi)表面電解拋光，本底真空度<5e-8 pa;

5.樣品搬運(yùn)室:不銹鋼sus304材質(zhì)，內(nèi)表面電解拋光，本底真空度<5e-5 pa;

6.排氣系統(tǒng):分子泵和干式機(jī)械泵;

7.閥門: 采用超高真空擋板閥;

8.真空檢測(cè):真空計(jì);

9.氣路兩套: 采用氣體流量計(jì)控制;

10.薄膜生長(zhǎng)監(jiān)控系統(tǒng): 采用掃描型差分RHEED;

11.監(jiān)控系統(tǒng):基板溫度的監(jiān)控和設(shè)定，基板和靶的旋轉(zhuǎn)，靶的更換等;

12.各種電流導(dǎo)入及測(cè)溫端子;

13.其它各種構(gòu)造:各種超高真空位移臺(tái)，磁力傳輸桿，超高真空法蘭，超高真空密封墊圈，超高真空用波紋管等;