模塊電源輸出電壓過(guò)高會(huì)怎樣？

這種方式比較危險(xiǎn)，它可以燒毀應(yīng)用電路，一般通過(guò)過(guò)壓保護(hù)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)過(guò)壓保護(hù)，另外也可以在輸出端加穩(wěn)壓二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)。設(shè)計(jì)時(shí)要合理選擇二極管的參數(shù)，防止由于溫度不同造成穩(wěn)壓點(diǎn)的變化。有些模塊本身自帶過(guò)壓保護(hù)。一般來(lái)講，25W以下模塊無(wú)過(guò)壓保護(hù)功能，25W以上模塊內(nèi)部設(shè)計(jì)有過(guò)壓保護(hù)電路。過(guò)壓保護(hù)點(diǎn)一般設(shè)計(jì)為135%--145%額定電壓。變壓器及穩(wěn)壓器都有相當(dāng)?shù)膿p耗，因此效率不高，而且即使沒(méi)有驅(qū)動(dòng)負(fù)載時(shí)，也會(huì)產(chǎn)生相當(dāng)?shù)臒?。詳?xì)設(shè)計(jì)時(shí)要確認(rèn)模塊是否具有這些功能，以免重復(fù)設(shè)計(jì)。

模塊電源的待機(jī)功耗哪去了

開(kāi)關(guān)管損耗

輸入端的MOS管Q1在待機(jī)的時(shí)候，主要體現(xiàn)的是開(kāi)關(guān)損耗，所以需要降低待機(jī)時(shí)MOS管的損耗，待機(jī)的工作頻率就要降低。芯片選型的時(shí)候，選擇芯片工作在輕載和空載情況下會(huì)跳頻(即降低空載和輕載的工作頻率)，MOS管要選用低柵荷的，從而降低損耗。

整流管D1損耗包括開(kāi)關(guān)損耗，反向恢復(fù)損耗，導(dǎo)通損耗。整流管選型時(shí)，選擇低導(dǎo)通壓降和反向恢復(fù)時(shí)間短的二極管，可以降低損耗。

開(kāi)關(guān)電源對(duì)于Vds有什么要求

Vds的應(yīng)力要求：

惡劣條件(輸入電壓高，負(fù)載大，環(huán)境溫度高，電源啟動(dòng)或短路測(cè)試)下，Vds的上限值不應(yīng)超過(guò)額定規(guī)格的90%

Vds降低的辦法：

1)降低平臺(tái)電壓：減小變壓器原副邊圈數(shù)比;

2)減小尖峰電壓：

a.減小漏感：

變壓器漏感在開(kāi)關(guān)管開(kāi)通是存儲(chǔ)能量是產(chǎn)生這個(gè)尖峰電壓的主要原因，減小漏感可以減小尖峰電壓。

b.調(diào)整吸收電路：

①使用TVS管;

②使用較慢速的二極管，其本身可以吸收一定的能量(尖峰);

③插入阻尼電阻可以使得波形更加平滑，利于減小EMI。