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ASEMI整流肖特基二極管快資訊！

SiC高壓SBD

由于Si和GaAs的勢(shì)壘高度和臨界電場(chǎng)比寬帶半導(dǎo)體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅(SiC)材料的禁帶寬度大(2.2eV~3.2eV)，臨界擊穿電場(chǎng)高(2V/cm~4×106V/cm)，飽合速度快(2×107cm/s)，熱導(dǎo)率高為4.9W/(cm·K)，抗化學(xué)腐蝕性強(qiáng)，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開關(guān)速度SBD的比較理想的新型材料。

要問肖特基二極管與快恢復(fù)二極管的差別，以及為什么采購(gòu)生產(chǎn)等都喜歡使用肖特基二極管的原因，那就是頻率的高低不同，直接影響到應(yīng)用當(dāng)中的能源耗損，像ASEMI的肖特基二極管，其反向恢復(fù)時(shí)間已能縮短到5ns以內(nèi)。但它的反向耐壓值較低，一般不超過去時(shí)100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點(diǎn)，能提高低壓、大電流整流（或續(xù)流）電路的效率 。

關(guān)于    ASEMI肖特基二極管 的封裝

　　通過型號(hào)識(shí)別封裝外形：

　　MBR10100:TO-220AC,單芯片，兩引腳，

　　MBR10100CT:TO-220AB,雙芯片，三引腳，型號(hào)后綴帶CT

　　MBRB10100CT:TO-263（D2PAK）、貼片。

　　型號(hào)前面四個(gè)字母B,代表TO-263,國(guó)際通用命名。雙芯片，三引腳，型號(hào)后綴帶CT

　　MBRD1045CT:TO-252（DPAK）、貼片。

　　MBRD與MBRB都是貼片，D:TO-252,B:TO-263.

　　MBR3045PT:TO-3P,型號(hào)后綴"PT"代表TO-3P封裝，

　　原MOTOROLA現(xiàn)叫做SOT-93

　　SD1045:D表示TO-251