如何檢測元件有老化的現(xiàn)象？ 半導體元件有許多參數(shù)都很重要，有些參數(shù)如：放大倍率，觸發(fā)參數(shù)，閂扣，保持參數(shù)，崩潰電壓等，是提供給工程師在設計電路時的依據(jù)，在檢測元件是否有老化的現(xiàn)象時，僅須測量導通參數(shù)及漏電流二項即可。將量測的數(shù)據(jù)與其出廠規(guī)格相比較，就可判定元件的好壞或退化的百分比。測量目的：對模塊的電壓降參數(shù)進行檢測,可判斷模塊是否處于正常狀態(tài)。 何謂半導體元件的參數(shù)？對元件使用上有何重要性？ 中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規(guī)格上的電壓與電流，在某條件下，承受度的數(shù)據(jù)便稱為此元件的參數(shù)。若元件的工作條件超過其參數(shù)數(shù)據(jù)，元件可能會立刻燒毀或造成性的損壞。

開通特性測試采用雙脈沖測試法。1V Vce： 12V 集電極電流ICE： 30mA±3% 7）二極管壓降測試 VF： 0-5V±2%±0。由計算機設定并控制輸出集電極電壓VCC值到被測器件的測試要求值（一般為被測器件額定電壓的1/2），設定±VGG到測試要求值，計算機控制接通開關S1,并控制輸出被測雙脈沖觸發(fā)信號，開通和關斷被測器件兩次，被測器件次開通后，集電極電流IC上升，直至被測器件飽和導通且IC達到測試規(guī)定值時，關斷被測器件(設為t1時刻)，之后電感L經(jīng)二極管（Q1內(nèi)部二極管）續(xù)流，IC迅速減小，直至IC降為零時，第二次開通被測器件(設為t2時刻)，此后電感L中的電流向IC轉移，IC迅速上升(若L足夠大，t1～t2間隔足夠短，L中的電流可視為恒流），直至被測器件再次達到飽和導通時(設為t3時刻)，關斷被測器件。記錄下被測器件IC、VCE以及VGE在t2～t3之間的導通波形，其中，VCE采樣到示波器的CH1通道，IC取樣到示波器的CH2通道，VGE采樣到示波器的CH3通道，示波器通過光通訊方式將測試波形傳輸給計算機，由計算機對測試波形進行分析與計算，后顯示測試結果。

其中：Vcc 試驗電壓源 ±VGG 柵極電壓 C1 箝位電容 Q1 陪測器件（實際起作用的是器件中的續(xù)流二極管） L 負載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動切換 IC 集電極電流取樣電流傳感器 DUT 被測器件 關斷時間采用單脈沖測試，由計算機設定并控制輸出集電極電壓VCC值到被測器件的測試要求值（一般為被測器件額定電壓的1/2），設定±VGG到測試要求值，開關被測器件DUT一次，被測器件的開沖持續(xù)時間必須保證DUT完全飽和，同時監(jiān)測集電極電流IC、柵極-發(fā)射極電壓VGE和集電極-發(fā)射極電壓VCE，記錄下被測器件IC、VCE以及VGE的波形，其中，VCE采樣到示波器的CH1通道，IC取樣到示波器的CH2通道，VGE采樣到示波器的CH3通道，示波器通過光通訊方式將測試波形傳輸給計算機，由計算機對測試波形進行分析與計算，后顯示測試結果。（2）主要技術參數(shù) 1）基本參數(shù) 功率源： 5000V1200A 2）柵極-發(fā)射極漏電流IGES IGES： 0。