華科智源IGBT測(cè)試儀針對(duì) IGBT 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng)；建議進(jìn)行高溫測(cè)試，模擬器件使用工況，更為準(zhǔn)確的判斷器件老化程度。自動(dòng)化程度高（按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作），計(jì)算機(jī)可以記錄測(cè)試結(jié)果，測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本格式存儲(chǔ)，測(cè)試方法靈活（可測(cè)試器件以及單個(gè)單元和多單元的模塊測(cè)試），安全穩(wěn)定（對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖），具有安全保護(hù)功能，測(cè)試速度方便快捷。

現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場(chǎng)上居于主導(dǎo)地位。由于科技進(jìn)步，電力電子裝置對(duì)輕薄短小及之要求 ,帶動(dòng)MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換..現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性。..等領(lǐng)域，使半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)技術(shù)人員在市場(chǎng)需求下，對(duì)大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。

3.6 VCES 集射極截止電壓 0~5000V 集電極電流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； 集電極電壓VCES： 0-5000V±1.5%±2V； * 3.7 ICES 集射極截止電流 0.01～50mA 集電極電壓VCES： 50～500V±2%±1V； 500～5000V±1.5%±2V； 集電極電流ICES： 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～150mA±1%±0.1mA； * 3.8 VCE(sat) 飽和導(dǎo)通壓降 0.001～10V 集電極電流ICE： 0-1600A 集電極電壓VCEs： 0.001～10V±0.5%±0.001V 柵極電壓Vge： 5～40V±1%±0.01V 集電極電流ICE： 0～100A±1%±1A； 100～1600A±2%±2A； * 3.9 Iges 柵極漏電流 0.01～10μA 柵極漏電流IGEs： 0.01～10μA±2%±0.005μA 柵極電壓Vge： ±1Ｖ～40V±1%±0.1V；主要參數(shù) 測(cè)試范圍 精度要求 測(cè)試條件Vce集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V。 Vce=0V； * 3.10 VF 正向特性測(cè)試 0.1～5V 二極管導(dǎo)通電壓Vf： 0.1～5V±1%±0.01V 電流IF： 0～100A±2%±1A； 100～1600A±1.5%±2A；

用于安裝固定試驗(yàn)回路及單元；主要技術(shù)參數(shù)要求如下；

?風(fēng)冷系統(tǒng)；

?可顯示主要電氣回路參數(shù)及傳感器測(cè)量值；

?可直觀監(jiān)視試驗(yàn)過(guò)程，并可兼容高溫?cái)z像頭；

?防護(hù)等級(jí)：IP40。

?面板按鈕可以進(jìn)行緊急操作

?機(jī)柜顏色：RAL7035

17）壓接夾具及其配套系統(tǒng)

?工作壓力范圍：5～200kN；分辨率0.1kN

?上下極板不平行度小于20μm

?極板平整度小于10μm

?壓力可連續(xù)調(diào)節(jié)，施加壓力平穩(wěn)，不可出現(xiàn)加壓時(shí)壓力過(guò)沖

?安全技術(shù)要求：滿足GB 19517—2009國(guó)家電氣設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范；

?測(cè)試工作電壓：10kV（整體設(shè)備滿足GB 19517—2009標(biāo)準(zhǔn)外，局部絕緣電壓應(yīng)滿足測(cè)試需求）

18）其他輔件