金屬膜電容的作用

精度能達到0.5級，局放＜5pC@14.4kV，介質(zhì)損耗＜0.1%，雷電沖擊75kVAC,1.2/50μs，正負極性各 15 次。

1、積分：用在積分電路中的電容器稱為積分電容。在電勢場掃描的同步分離電路中，采用這種積分電容電路，可以從場復合同步信號中取出場同步信號；

2、微分：用在微分電路中的電容器稱為微分電容。在觸發(fā)器電路中為了得到尖頂觸發(fā)信號，采用這種微分電容電路，以從各類信號中得到尖頂脈沖觸發(fā)信號；

3、補償：用在補償電路中的電容器稱為補償電容，在卡座的低音補償電路中，使用這種低頻補償電容電路，以提升放音信號中的低頻信號，此外，還有高頻補償電容電路；

低壓電容器安裝注意事項

一，集中裝置於變電所之高壓電路（高壓母線）之設(shè)置方法，此方法設(shè)備費用較少，安裝容易，但效果并不如裝置於低壓側(cè)有效，而僅對裝置地點之側(cè)部分有效。

二，裝置於低壓側(cè)時，與負載器具愈近愈佳，且每個負載均各個加以并聯(lián)適當容量之電力電容器理想，依此種方法使高低壓用的線路、變壓器等電力系統(tǒng)全體均能將電力損失減少，使設(shè)備能產(chǎn)生適量之寬裕，惟如采用此種方法，安裝設(shè)備比較昂貴。

三、裝置於對功率因數(shù)較差之負載及高壓電動機，個別加裝以適當容量之電力電容器，而對於其他負載則綜合以加在高壓電路之電力電容器，來改善功率因數(shù)，即采用上述兩項之并用方式。

四、設(shè)置時熔絲鏈容量(高壓)應選用電容器額定電流之1.65～2.5倍。二臺以上并置時，間隔距離應保持8公分以上，以利散熱。

五、并聯(lián)時避免使用銅板接線(高壓電容器及低壓屋外型電容器)。

六、配線及開關(guān)設(shè)備容量應不低於電容器額定電流之1.35倍。

七、保養(yǎng)工作時需在切離電源(高壓)5分鐘，(低壓)3分鐘，并確定無殘留電壓時，方可實施。

八、其他注意事項應詳閱電容器檢驗卡背面。

電容器的投切方式二

精度能達到0.5級，局放＜5pC@14.4kV，介質(zhì)損耗＜0.1%，雷電沖擊75kVAC,1.2/50μs，正負極性各 15 次

電子式無觸點可控硅投切電容器裝置（TSC）可控硅投切電容器，是利用了電子開關(guān)反應速度快的特點。采用過零觸發(fā)電路，檢測當施加到可控硅兩端電壓為零時，發(fā)出觸發(fā)信號，可控硅導通。此時電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等，因此不會產(chǎn)生合閘涌流，解決了接觸器合閘涌流的問題。但是，可控硅在導通運行時，可控硅結(jié)間會產(chǎn)生一伏左右的壓降，通常15KVAR三角形接法的電容器，額定電流22A，則一個可控硅消耗功率約為22W。如以一個150KVAR電容柜來算，運行時可控硅投切裝置消耗的功率可達600W，而且都變成熱量，使機柜溫度升高。其中，智能電容器在近些年來的應用范圍得到了逐步的拓展，一些高1檔住宅區(qū)以及商業(yè)建筑中都能見到這種新型的電子元件。同時可控硅有漏電流存在，當未接電容時，即使可控硅未導通，其輸出端也是高電壓。優(yōu)點：無涌流，無觸點，使用壽命長、維修少，投切速度快（5ms內(nèi)）；缺點：價格高為接觸器的3倍、投切速度0.5s左右