鍍膜技術(shù)在集成電路制造中的應(yīng)用 晶體管路中的保護(hù)層（SiO2、Si3N4）、電極管線（多晶硅、鋁、銅及其合金）等多是采用CVD技術(shù)、PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)?？梢姎庀喑练e術(shù)制備集成電路的核心技術(shù)之一。

真空鍍膜機(jī)主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。

需要鍍膜的被稱為基片，鍍的材料被稱為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。

真空電鍍?cè)O(shè)備膜厚的不均勻問題

無論監(jiān)控儀精度怎樣，它也只能控制真空室里單點(diǎn)位置的膜厚，一般來講是工件架的中間位置。如果真空電鍍?cè)O(shè)備此位置的膜厚不是均勻的，那么遠(yuǎn)離中心位置的基片就無法得到均勻的厚度。鍍膜技術(shù)在平板顯示器中的應(yīng)用所有各類平板顯示器都要用到各種類型的薄膜，而且?guī)缀跛蓄愋偷钠桨屣@示器件都需要使用ITO膜，以滿足透明電器的要求。雖然屏蔽罩能消除表現(xiàn)為長(zhǎng)期的不均勻性，但有些膜厚度的變化是由蒸發(fā)源的不穩(wěn)定或膜材的不同表現(xiàn)而引起的，所以幾乎是不可能消除的，但對(duì)真空室的結(jié)構(gòu)和蒸發(fā)源的恰當(dāng)選擇可以使這些影響化。

在過去幾年中，越來越多的用戶要求鍍膜系統(tǒng)制造廠家提供的小規(guī)格、簡(jiǎn)便型光學(xué)鍍膜系統(tǒng)，同時(shí)，用戶對(duì)性能的要求不僅沒有降低，反而有所提高，特別是在薄膜密度和保證吸水后光譜變化小化等方面。

現(xiàn)在，系統(tǒng)的平均尺寸規(guī)格已經(jīng)在降低，而應(yīng)用小規(guī)格設(shè)備進(jìn)行光學(xué)鍍膜的生產(chǎn)也已經(jīng)轉(zhuǎn)變成為純技術(shù)問題。膜厚決定于蒸發(fā)專源的蒸發(fā)速率和時(shí)間（或決定于裝料量），并與源和基片的距離有關(guān)。因此，選用現(xiàn)代化光學(xué)鍍膜系統(tǒng)的關(guān)鍵取決于對(duì)以下因素的認(rèn)真考慮：對(duì)鍍膜產(chǎn)品的預(yù)期性能，基片的尺寸大小和物理特性以及保證高度一致性工藝所必需的所有技術(shù)因素。

真空鍍膜設(shè)備如何操作？

真空鍍膜設(shè)備操作程序具體操作時(shí)請(qǐng)參照該設(shè)備說明書和真空鍍膜機(jī)上儀表盤指針顯示及各旋鈕下的標(biāo)注說明。

檢查真空鍍膜設(shè)備各操作控制開關(guān)是否在'關(guān)'位置。打開總電源開關(guān)，真空鍍膜設(shè)備送電。

低壓閥拉出。開充氣閥，聽不到氣流聲后，啟動(dòng)升鐘罩閥，鐘罩升起。

把薄膜和鋁蓋板固定在轉(zhuǎn)動(dòng)圓盤上。把鋁絲穿放在螺旋加熱子內(nèi)。清理鐘罩內(nèi)各部位，保證無任何雜質(zhì)污物。

啟動(dòng)真空鍍膜設(shè)備抽真空機(jī)械泵。

真空鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)和工作原理：真空主體——真空腔，用來連接各抽氣泵浦。成膜控制系統(tǒng)，真空鍍膜機(jī)薄膜監(jiān)控目前應(yīng)用方式比較多，主要有：目視監(jiān)控法，定值監(jiān)控、水晶振蕩監(jiān)控、時(shí)間監(jiān)控等等。對(duì)于大面積鍍膜，常采用旋轉(zhuǎn)基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。輔助抽氣系統(tǒng)。蒸發(fā)系統(tǒng)，蒸發(fā)系統(tǒng)主要是指成膜裝置部分。一臺(tái)完整的真空鍍膜機(jī)是由多部分系統(tǒng)組成的，每個(gè)系統(tǒng)可以完成不同的功能。