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吳江區(qū)特種氣體用途優(yōu)惠報(bào)價(jià)“本信息長(zhǎng)期有效”

發(fā)布時(shí)間:2020-11-30 05:32  

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氣體成分與材料的不相容性

氣體在某種條件下與氣瓶、閥門(mén)、管路材料不相容可導(dǎo)致如下危險(xiǎn):

1、腐蝕

1)濕氣腐蝕

例如HCL、CL2在有水存在時(shí)很容易腐蝕鋼瓶,水分的引入可能來(lái)源于客戶(hù)使用,沒(méi)有關(guān)閉閥門(mén),也可能在充裝過(guò)程中或水壓檢驗(yàn)中;NH3、SO2、H2S也有類(lèi)似的腐蝕。即使是干燥的氯i化氫和氯i氣,高濃度時(shí)也不能儲(chǔ)存在鋁合金氣瓶中。

2)應(yīng)力腐蝕

在CO、CO2、H2O共存時(shí),極易腐蝕碳鋼瓶。因此在制備含有CO和CO2的標(biāo)準(zhǔn)氣體時(shí),氣瓶要進(jìn)行烘干處理,原料氣體也要使用高純氣體或不含水分的氣體。

2、生成危險(xiǎn)的化合物

1)乙i炔和含銅大于70%的銅合金反應(yīng)生成金屬有機(jī)化合物。

2)單鹵代烴CH3CL、C2H5CL、CH3Br等不能盛裝在鋁合金氣瓶中,它們會(huì)與鋁緩慢形成金屬有機(jī)鹵化物,遇水爆i炸。如果氣瓶中含有水分,配制后的標(biāo)準(zhǔn)氣體中可以檢測(cè)出烷烴和氫氣。

3、爆i炸反應(yīng)因氣體與閥門(mén)密封材料或管路材料不相容引起爆i炸反應(yīng)。如氧化性氣體不能選用可燃密封材料的閥門(mén)。在標(biāo)準(zhǔn)氣體配制時(shí)這一點(diǎn)容易被忽視。其中包括如何計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)氣體的氧化性。







氧氣的應(yīng)用

氧氣跟乙i炔一起產(chǎn)生氧乙i炔火焰用于切割金屬

氧氣應(yīng)用于醫(yī)院病i人、消防員、潛水人員的呼吸氣體

氧氣用于玻璃行業(yè)

高純氧氣用于電子制造業(yè)

高純氧氣用于特殊儀器

在化工行業(yè),氧氣用于改變產(chǎn)品分子結(jié)構(gòu),提高乙烯、丙稀、氯化物工藝的生產(chǎn)能力

在煉油、煤制氣行業(yè),氧氣用于石油提取和精制,增加油、氣井產(chǎn)量和脫硫等

在煉鋼行業(yè),氧氣用于提高鋼材的產(chǎn)量和質(zhì)量

液氧跟液氫一起組成火箭推進(jìn)劑







近年來(lái),隨著國(guó)內(nèi)電子、機(jī)械制造、光纖、光伏等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,分散用氣市場(chǎng)不斷發(fā)展壯大,這一市場(chǎng)的特點(diǎn)是客戶(hù)對(duì)單一氣體需求量相對(duì)較小,但對(duì)氣體品種需求較多,供氣方式以零售為主。由于外資企業(yè)在國(guó)內(nèi)的發(fā)展戰(zhàn)略主要定位于大型現(xiàn)場(chǎng)制氣市場(chǎng),因此零售氣市場(chǎng)與中小型現(xiàn)場(chǎng)制氣市場(chǎng)已成為內(nèi)資企業(yè)爭(zhēng)奪的焦點(diǎn)。零售氣市場(chǎng)在我國(guó)起步較晚,且由于運(yùn)輸半徑的限制而具有較強(qiáng)的地域性特點(diǎn)。

部分氣體零售企業(yè)已在各自區(qū)域內(nèi)建立了先發(fā)優(yōu)勢(shì),并不斷通過(guò)兼并收購(gòu)的方式將銷(xiāo)售網(wǎng)絡(luò)擴(kuò)展到其他區(qū)域,因而零售氣市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)具有較強(qiáng)的區(qū)域分散性。在特定區(qū)域內(nèi),零售氣市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)主要分為兩類(lèi):一類(lèi)是將現(xiàn)場(chǎng)制氣項(xiàng)目生產(chǎn)的富余氣體對(duì)外零售的企業(yè),一類(lèi)為專(zhuān)門(mén)從事瓶裝、液態(tài)氣零售業(yè)務(wù)的企業(yè)。






其中主要應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路的消費(fèi)制造。在半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用的有110余種單元特種氣體,其中常用的有20~30種。在集成電路制造應(yīng)用方面詳細(xì)包括集成電路芯片制程、化學(xué)氣相堆積和氣體應(yīng)用、刻蝕和氣體應(yīng)用、摻雜和氣體應(yīng)用。

  在太陽(yáng)能電池應(yīng)用方面詳細(xì)包括太陽(yáng)能電池的應(yīng)用、晶體硅太陽(yáng)能電池消費(fèi)工藝和氣體應(yīng)用、薄膜太陽(yáng)能電池消費(fèi)工藝和氣體應(yīng)用;在化合物半導(dǎo)體應(yīng)用方面詳細(xì)包括化合物半導(dǎo)體的應(yīng)用、MOCVD/LED消費(fèi)工藝和氣體應(yīng)用。