真空鍍膜設(shè)備多弧離子鍍膜工藝不僅避免了傳統(tǒng)表面處理的不足，且各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)都優(yōu)于傳統(tǒng)工藝，在五金、機(jī)械、化工、模具、電子、儀器等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。催化液和傳統(tǒng)處理工藝相比，在技術(shù)上有哪些？

1、多弧離子鍍膜不用電、降低了成本、成本僅為多弧離子鍍膜鎳的二分之一，真空鍍膜機(jī)多弧離子鍍膜鉻的三分之一，不銹鋼的四分之一，可反復(fù)利用，大大降低了成本。

2、多弧離子鍍膜易操作、工藝簡(jiǎn)單、把金屬基件浸入兌好的液體中“一泡即成”，需要再加工時(shí)不經(jīng)任何處理。

3、多弧離子鍍膜無(wú)污染，無(wú)毒無(wú)味，無(wú)三廢排放，屬國(guó)家環(huán)保產(chǎn)品技術(shù)。

4、多弧離子鍍膜好處理、使用方便；形狀復(fù)雜的金屬基件都能處理。

5、多弧離子鍍膜硬度大，硬度增強(qiáng)、催化液泡過(guò)的金屬基件硬度是多弧離子鍍膜工藝的幾倍。

6、多弧離子鍍膜不會(huì)生銹，催化液浸泡過(guò)的金屬基件已滲透表皮里面，不起皮、不脫落。

真空鍍膜機(jī)PVD涂層技術(shù)有哪些優(yōu)點(diǎn)

真空鍍膜機(jī)PVD涂層技術(shù)適用于各種加工要求和工件材料的高速鋼和硬質(zhì)合金工具，那么它有哪些優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn)呢？下面至成小編為大家詳細(xì)介紹一下：

（1）PVD膜層能直接鍍?cè)诓讳P鋼以及硬質(zhì)合金上，對(duì)比較軟的鋅合金、銅、鐵等壓鑄件應(yīng)先進(jìn)行化學(xué)電鍍鉻，然后才適合鍍PVD，但是水鍍后做PVD容易起泡，不良率較高；

（2）典型的PVD涂層加工溫度在250℃~450℃之間；

（3）涂層種類和厚度決定工藝時(shí)間，一般工藝時(shí)間為3~6小時(shí)；

（4）PVD鍍膜膜層的厚度為微米級(jí)，厚度較薄，一般為0.3μm～5μm，其中裝飾鍍膜膜層的厚度一般為0.3μm~1μm，因此可以在幾乎不影響工件原來(lái)尺寸的情況下提高工件表面的各種物理性能和化學(xué)性能，并能夠維持工件尺寸基本不變，鍍后不須再加工；

（5）PVD技術(shù)不僅提高了鍍膜與基體材料的結(jié)合強(qiáng)度，涂層成分也由TiN發(fā)展為T(mén)iC、TiCN、ZrN、CrN、MoS2、TiAlN、TiAlCN、TiN-AlN、CNx、DLC和ta-C等多元復(fù)合涂層，形成不同的顏色的表面效果。

（6）目前能夠做出的膜層的顏色有深金黃色，淺金黃色，咖啡色，古銅色，灰色，黑色，灰黑色，七彩色等。通過(guò)控制鍍膜過(guò)程中的相關(guān)參數(shù)，可以控制鍍出的顏色；鍍膜結(jié)束后可以用相關(guān)的儀器對(duì)顏色值進(jìn)行測(cè)量，使顏色得以量化，以確定所鍍出的顏色是否滿足要求。

新型磁控濺射真空鍍膜機(jī)鍍膜工藝

磁控濺射真空鍍膜機(jī)鍍膜工藝在鍍膜行業(yè)無(wú)處不在，只要說(shuō)到鍍膜技術(shù)，大家都會(huì)立刻想到磁控鍍膜工藝，磁控濺射真空鍍膜機(jī)也受到了各大廠家的追捧，磁控濺射鍍膜工藝更是受到大家的喜愛(ài)，今天至成小編為大家介紹一下磁控濺射鍍膜機(jī)鍍膜工藝。

其實(shí)從一般的金屬靶材濺射、反應(yīng)濺射、偏壓濺射等,伴隨著工業(yè)需求及新型磁控濺射技術(shù)的出現(xiàn),低壓濺射、高速沉積、自支撐濺射沉積、多重表面工程以及脈沖濺射等新型工藝成為目前該領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì)。低壓濺射的關(guān)鍵問(wèn)題是在低壓(一般是指<011Pa)下,電子與氣體原子的碰撞幾率降低,在常規(guī)磁控濺射技術(shù)中不足以維持靶材表面的輝光放電,導(dǎo)致濺射沉積無(wú)法繼續(xù)進(jìn)行。通過(guò)優(yōu)化磁場(chǎng)設(shè)計(jì),使得電子空間運(yùn)動(dòng)距離延長(zhǎng),非平衡磁控濺射技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)在10-2Pa等級(jí)的真空下進(jìn)行濺射沉積。另外,通過(guò)外加電磁場(chǎng)約束電子運(yùn)動(dòng)可以實(shí)現(xiàn)更低壓強(qiáng)下的濺射沉積。進(jìn)行高速沉積可以極大的提高工作效率、減少工作氣體消耗以及獲得新型膜層。實(shí)現(xiàn)高速沉積主要需要解決的問(wèn)題是在提高靶材電流密度的同時(shí),不會(huì)產(chǎn)生弧光放電;由于功率密度的提高,靶材、襯底的冷卻能力需要相應(yīng)提高等。目前,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了靶材功率密度超過(guò)100W/cm2,沉積速率超過(guò)1μm/min。