三、華科智源IGBT測(cè)試儀系統(tǒng)特征： A：測(cè)量多種IGBT、MOS管 B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測(cè)試范圍廣；可選購?fù)獠扛邏耗K，執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如：各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)2KV。 C：脈沖寬度 50uS~300uS D：Vce測(cè)量精度2mV E：Vce測(cè)量范圍>10V F：電腦圖形顯示界面 G：智能保護(hù)被測(cè)量器件 H：上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫功能 I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降 J : 一次測(cè)試IGBT全部靜態(tài)參數(shù) K: 生成測(cè)試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位） L:可以進(jìn)行不同曲線的對(duì)比，觀測(cè)同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài)，或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對(duì)比；

表格12動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試部分組成

序號(hào) 組成部分 單位 數(shù)量

1 可調(diào)充電電源 套 1

2 直流電容器 個(gè) 8

3 動(dòng)態(tài)測(cè)試負(fù)載電感 套 1

4 安全工作區(qū)測(cè)試負(fù)載電感 套 1

5 補(bǔ)充充電回路限流電感L 個(gè) 1

6 短路保護(hù)放電回路 套 1

7 正常放電回路 套 1

8 高壓大功率開關(guān) 個(gè) 5

9 尖峰抑制電容 個(gè) 1

10 主回路正向?qū)ňчl管 個(gè) 2

11 動(dòng)態(tài)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 個(gè) 2

12 安全工作區(qū)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 個(gè) 3

13 被測(cè)器件旁路開關(guān) 個(gè) 1

14 工控機(jī)及操作系統(tǒng) 套 1

15 數(shù)據(jù)采集與處理單元 套 1

16 機(jī)柜及其面板 套 1

17 壓接夾具及其配套系統(tǒng) 套 1

18 加熱裝置 套 1

19 其他輔件 套 1

9）尖峰抑制電容 用于防止關(guān)斷瞬態(tài)過程中的IGBT器件電壓過沖。 ?電容容量 200μF ?分布電感 小于10nH ?脈沖電流 2kA ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70% 11）動(dòng)態(tài)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 用于防止測(cè)試過程中的過電壓。 ?反向電壓 8000V(2只串聯(lián)) ?電子電力產(chǎn)品生產(chǎn)、檢修廠——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的半導(dǎo)體元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性。-di/dt大于2000A/μs ?通態(tài)電流 1200A ?壓降小于1V ?浪涌電流大于20kA ?反向恢復(fù)時(shí)間小于2μs ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70% 12）安全工作區(qū)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管 ?反向電壓 12kV(3只串聯(lián)) ?-di/dt 大于2000A/μS ?通態(tài)電流 1200A ?壓降 小于1V ?浪涌電流 大于20kA ?反向恢復(fù)時(shí)間 小于2μS ?工作溫度 室溫～40℃ ?工作濕度 <70%