導致靶面各單元的電阻值不同。如果入射光強度太高，導致器件內(nèi)電流太大，以至于電陰極和倍增極因發(fā)射二分解，就會造成光電倍增管的永1久性波壞。與較亮像素對應的靶單元阻值較小，與較暗像素對應的靶單元阻值較大，這樣一幅圖像上各像素的不同亮度就表現(xiàn)為靶面上各單元的不同電阻值，原來按照明暗分布的“光像”就變成了相應的“電像”。從電子槍陰極發(fā)出的電子，在電子槍電場作用下高速射向靶面，并在偏轉(zhuǎn)磁場作用下按照掃描規(guī)律掃過靶面上的各個單元。當電子束接觸到靶面某個單元時，使陰極、光電靶、負載電阻RL及電源E構(gòu)成一個回路。

在負載RL中有電流流過，其電流大小取決于光電靶在該單元的電阻值大小。從電子槍陰極發(fā)出的電子，在電子槍電場作用下高速射向靶面，并在偏轉(zhuǎn)磁場作用下按照掃描規(guī)律掃過靶面上的各個單元。光照強處對應阻值較小，流過負載RL的電流就較大，因而RL兩端產(chǎn)生的壓降也就較大。負載電阻RL上形成電壓就是攝像管輸出的圖像信號。光電轉(zhuǎn)換過程（圖像的攝取過程）：被攝景物通過攝像機的光學鏡頭在光電靶上成像，被電子束將這幅圖像分解為像素，同時把各個像素的亮度轉(zhuǎn)變?yōu)樵谪撦d電阻RL上大小不同的電壓降，從而形成攝像管輸出信號。

應用隨著傳統(tǒng)燃料能源的減少以及對環(huán)境造成的危害也越來越嚴重 ,能源問題日益成為制約國際社會經(jīng)濟發(fā)展的瓶頸，越來越多的國家制定了大力發(fā)展太陽能的計劃。二、光伏打器件----硅光電池半導體PN結(jié)在受到光照射時能產(chǎn)生電動勢的效應，叫光伏打效應。例如，美國的“ 光伏建筑計劃”、歐洲的“百萬屋頂光伏計劃” ，日本的“朝日計劃 ” ，以及我國發(fā)展的“光明工程 ”等都極大地促進了太陽能的發(fā)展。當前太陽能電池產(chǎn)品類型主要有單晶硅、多晶硅、非晶硅、化合物半導體和疊層太陽能電池等，主要應用在以下領域。