脈沖激光沉積介紹

脈沖激光沉積也被稱為脈沖激光燒蝕（pulsed laser ablation，PLA），是一種利用激光對(duì)物體進(jìn)行轟擊，然后將轟擊出來的物質(zhì)沉淀在不同的襯底上，得到沉淀或者薄膜的一種手段。

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脈沖激光沉積細(xì)節(jié)介紹

很多復(fù)雜氧化物薄膜在相對(duì)高的氧氣壓力（>100 Torr）下冷卻是有利的。所有Pioneer 系統(tǒng)設(shè)計(jì)的工作壓力范圍。從它們的額定初始?jí)毫Φ酱髿鈮毫?。這也有益于納米粒子的生成。

Pioneer PLD 系統(tǒng)的激光束入射角為45°，保持了激光密度在靶材上的均勻性，同時(shí)避免使用復(fù)雜而昂貴的光學(xué)部件。淺的入射角能夠拉長靶材上的激光斑點(diǎn)，導(dǎo)致密度均勻性的損失。

為了避免使用昂貴的與氧氣兼容的真空泵流體，消除油的回流對(duì)薄膜質(zhì)量的影響，所有Pioneer 系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)配置都采用無油真空系統(tǒng)。

我們的研究表明靶和基片的距離是獲得較佳薄膜質(zhì)量的關(guān)鍵參數(shù)。Pioneer 系統(tǒng)采用可變的靶和基片的距離，對(duì)沉積條件進(jìn)行較大的控制。

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脈沖激光沉積選件介紹

激光分子束外延(Laser MBE )

激光MBE 是普遍采用的術(shù)語，該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的PLD 與在線工藝監(jiān)測的反射高能電子衍射（RHEED）的聯(lián)合應(yīng)用，用戶提供了類似于MBE 的薄膜生長的單分子水平控制。

正確的設(shè)計(jì)是成功使用RHEED 和PLD 的重要因數(shù)

RHEED 通常在高真空（<10-6 torr）環(huán)境下使用。然而，因?yàn)樵谀承┨厥馇闆r下，PLD 采用較高的壓力，差動(dòng)抽氣是必要的，

維持RHEED 槍的工作壓力，同時(shí)保持500 mTorr 的PLD 工藝壓力。同時(shí)，設(shè)計(jì)完整的系統(tǒng)消除磁場對(duì)電子束的影響是至關(guān)重要的。Neocera 的激光MBE 系統(tǒng)可以為用戶提供在壓力達(dá)到500 mTorr 時(shí)所需的單分子層控制。

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脈沖激光沉積的原理

脈沖激光沉積原理：在真空環(huán)境下利用脈沖激光對(duì)靶材表面進(jìn)行轟擊，利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質(zhì)轟擊出來，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。

脈沖激光沉積技術(shù)適合做的薄膜包括各種多元氧化物，氮化物，硫化物薄膜，金屬薄膜，磁性材料等。

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