眾所周知氧化鋅（ZnO）作為寬禁帶半導體材料,具有纖鋅礦結構,在室溫下具有較強的激光發(fā)射性能,特殊形貌的氧化鋅在上述諸多方面的優(yōu)異性能正在被開發(fā),為此,各種形貌氧化鋅晶體的可控制備研究引起了人們的廣泛興趣。目前,生長氧化鋅（ZnO）單晶體的方法有CvT、助熔劑法、溶液法和水熱法。采用水熱法已經生長出2~3英寸的ZnO晶體,這證明水熱法是一種生長高質量、大尺寸ZnO單晶體的有效的方法。

 氧化鋅（ZnO）單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結構的半導體，其可直接躍 遷，禁帶寬度(Eg 3. 37eV)大。因此，可期待將其用作的發(fā)光器件材料。氧化鋅（ZnO）晶體有三種結構∶六邊纖鋅礦結構、立方閃鋅礦結構,以及比較罕見的氯化鈉式八面體結構。纖鋅礦結構在三者中穩(wěn)定性高,因而常見。立方閃鋅礦結構可由逐漸在表面生成氧化鋅的方式獲得。

氧化鋅（ZnO）晶體在1975℃同成分熔化,在較高的溫度下非常不穩(wěn)定,不容易由熔體直接生長。目前主要是在盡可能低的溫度下用化學氣相輸運法、水熱法和助熔劑法生長。氧化鋅（ZnO）是一致熔融化合物,熔點為1975℃。目前,氧化鋅（ZnO）晶體體單晶的生長方法主要有緩慢冷卻法、水熱法和氣相生長法。采用水熱法，可以從KOH和LiOH混合水溶液中生長ZnO晶體。