蝕刻

1.化學蝕刻

蝕刻液一般都是強酸或強堿。盡可能使反應快速完成，一般蝕刻速度為0.04mm/分鐘，蝕刻速度越快，側蝕的程度就越小，所得到的工件精密度就越高。

2.電化學蝕刻

把工件做陽極，在電解液中通電，工件上未被保護部位因作陽極而溶解，從而達到蝕刻的目的。電化學蝕刻的蝕刻速率一般由工件表面的電流密度來控制。

對于蝕刻完成既為成品的產(chǎn)品，直接退去保護油墨。要根據(jù)所采用的油墨性質來選用脫墨液：

1.對于水性油墨，可采用20%水溶液/50~60℃浸泡約十分鐘，然后擦拭，去除油墨。

2.對于油性油墨，要用進行浸泡約十分鐘，然后進行擦洗去除。

對于蝕刻的成品，進行手工填漆、電泳涂裝或者電鍍，從而形成同一平面兩種雙色甚至多種顏色的外觀效果

     其次蝕刻機的均勻性對蝕刻產(chǎn)品影響也比較大。蝕刻機的均勻要可以調節(jié)，那么就要讓噴淋管能實現(xiàn)獨立壓力控制，這樣根據(jù)不同尺寸的產(chǎn)品對壓力進行微調（大尺寸的板水池效應大），從而得到一個較佳的均勻性。通常設備精度好不好，就是通過蝕刻均勻性好不好來衡量的。

      由于蝕刻是一個放熱 的化學反應，所以完善冷卻系統(tǒng)是很有必要的，而且冷卻管表面積需要符合滿載的時的放熱量的及時冷卻，溫度不宜超過2度，超過2度以上還不能冷卻到設定溫度，說明設計冷卻盤的面積過小，滿載生產(chǎn)時會出現(xiàn)超溫導致必須停止生產(chǎn)。

硬烘、刻蝕等工序，Photolithography（光刻）意思是用光來制造一個圖形。（工藝）；在硅片外表勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光，刻膠上的將器件或電路結構暫時“”到硅片上的過，程。光刻的目的，使表有疏水性，增強基底外表與光刻膠的黏附性，丈量臺、臺承載硅片的作業(yè)臺。也便是本次所說。的雙作業(yè)臺，光束糾正器糾正光束入射方向，讓激光束盡量平行，能量操控器操控終照硅片上的能量，缺少，或過足都會嚴重影響成像質量。光束形狀設置設置光束為圓型、環(huán)型等不同形狀，同的光束狀況有不同的光學特性。遮光器在不需求的時分。

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蝕刻網(wǎng)又稱過濾網(wǎng)，采用金屬薄片通過蝕刻機腐蝕加工而成的，藍光同茂廠是一家專業(yè)生產(chǎn)金屬腐蝕機的廠家，我們可按照客戶的要求提供全套腐蝕設備和蝕刻工藝技術,蝕刻網(wǎng)片主要作用于生活中的液體分離

　　蝕刻網(wǎng)的介紹：

蝕刻網(wǎng)是使用化學蝕刻液通過蝕刻機高壓噴淋到工件上，讓部分工件與蝕刻液產(chǎn)生化學反應從而減少的過程，想要使一塊金屬片部分區(qū)域減少，我們就必須在不需要減少的地方做上保護層，此保護層我們通過曝光顯影的方式做上去。