PCB設(shè)計(jì)–讓您的PCB線路板盡可能小

當(dāng)談到新的硬件產(chǎn)品時(shí)，要求產(chǎn)品越小越好，尤其是對可穿戴技術(shù)產(chǎn)品和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。

較小的硬件產(chǎn)品的關(guān)鍵之一當(dāng)然是較小的印刷電路板（PCB）。

如果小尺寸對您的產(chǎn)品至關(guān)重要，那么減小PCB尺寸的技術(shù)就是使用盲孔和埋孔。它們的使用可以使PCB上的組件封裝得更緊密。

通孔是連接各個(gè)板層之間的走線的通道。穿過電路板每一層的標(biāo)準(zhǔn)通孔實(shí)際上減少了可用的布線空間，即使在未連接到這些通孔的層上也是如此?？捎玫牟季€空間越少意味著電路板尺寸越大。

這就是所謂的埋孔和盲孔的出現(xiàn)，以幫助消除此問題。盲孔將外部層連接到內(nèi)部層，而埋孔將兩個(gè)內(nèi)部層連接。

但是，設(shè)計(jì)人員需要考慮使用盲孔和埋孔的問題。

盲孔和埋孔的1個(gè)問題是成本。 與常規(guī)通孔相比，制造盲孔和埋孔的過程更為復(fù)雜，因此會(huì)大大增加電路板的成本。

對于大批量生產(chǎn)，盲埋孔成本將降低到更易于管理的水平，但是對于少量HDI線路板打樣制作，成本增加會(huì)很大。很多時(shí)候，使用盲孔和/或埋孔會(huì)使PCB打樣板的成本增加三倍！

使用它們的第二個(gè)問題是它們在可用于連接的層上有嚴(yán)格的限制。要了解它們的局限性，您必須了解如何堆疊各層來制作電路板。

俱進(jìn)科技設(shè)立了HDI小組，專注于所有HDI板項(xiàng)目，我們有激光鉆機(jī)，盲孔填銅線，從而減少發(fā)外1交期上的耽誤，保證了產(chǎn)品的質(zhì)量可靠性。 我們的HDI板加急能做5-7天，而且從來沒有收到客戶對HDI板開短路的投訴。選擇大于努力，相信我們。

初學(xué)者的十大PCB布線技巧

有一句老話：PCB設(shè)計(jì)是90％的布局和10％的布線。 今天仍然是這樣，組件的放置將決定布線將花費(fèi)多少時(shí)間，但這并不意味著布線PCB不再那么重要。 這只是您在每項(xiàng)活動(dòng)上花費(fèi)多少時(shí)間的問題。

如果這是您初次進(jìn)行PCB布局，那么看到混亂的模樣可能有點(diǎn)嚇人。 使用這十大PCB布線技巧以及我們的十大元器件放置技巧，可以使您的初次PCB布局成功。

貼士2 –了解制造商的規(guī)格

在開始鋪設(shè)銅走線之前，請先花時(shí)間給制造商打電話或發(fā)電子郵件給他們，以查看他們是否對Zui小走線寬度，走線間隔以及它們可以處理的層數(shù)有任何特定要求。板（以合適的價(jià)格）

為什么？通過預(yù)先了解此信息，您可以在設(shè)計(jì)規(guī)則中設(shè)置走線寬度和間距值，而不必重新布線整個(gè)電路板布局。通過使用制造商可以生產(chǎn)的走線寬度和間距，在制造電路板時(shí)，可以使每個(gè)人的生活變得更加輕松。

要裝配pcb，準(zhǔn)備bom表吧，一般能直接從原理圖中導(dǎo)出。但是需要注意的是，原理圖中哪些部分元件該上，哪些部分元件不該上，要做到心理有數(shù)。對于小批量或研究板而言，用excel自己管理倒也方便。大公司往往要專業(yè)軟件來管理。

而對于新手而言，初次版本，不建議直接交給裝配工廠或焊接工廠將bom的料全部焊上，這樣不便于排查問題。較好的方法就是，根據(jù)bom表自己準(zhǔn)備好元件。等到板來了之后，一步步上元件、調(diào)試。

高速PCB設(shè)計(jì)--并聯(lián)終端匹配

在信號源端阻抗很小的情況下，通過增加并聯(lián)電阻使負(fù)載端輸入阻抗與傳輸線的特征阻抗相匹配，達(dá)到消除負(fù)載端反射的目的。實(shí)現(xiàn)形式分為單電阻和雙電阻兩種形式。

匹配電阻選擇原則：在芯片的輸入阻抗很高的情況下，對單電阻形式來說，負(fù)載端的并聯(lián)電阻值必須與傳輸線的特征阻抗相近或相等；對雙電阻形式來說，每個(gè)并聯(lián)電阻值為傳輸線特征阻抗的兩倍。

并聯(lián)終端匹配優(yōu)點(diǎn)是簡單易行，顯而易見的缺點(diǎn)是會(huì)帶來直流功耗：單電阻方式的直流功耗與信號的占空比緊密相關(guān)；雙電阻方式則無論信號是高電平還是低電平都有直流功耗，但電流比單電阻方式少一半。

常見應(yīng)用：以高速信號應(yīng)用較多。

（1）DDR、DDR2等SSTL驅(qū)動(dòng)器。采用單電阻形式，并聯(lián)到VTT（一般為IOVDD的一半）。其中DDR2數(shù)據(jù)信號的并聯(lián)匹配電阻是內(nèi)置在芯片中的。

（2）TMDS等高速串行數(shù)據(jù)接口。采用單電阻形式，在接收設(shè)備端并聯(lián)到IOVDD，單端阻抗為50歐姆（差分對間為100歐姆)。