華科智源IGBT測試儀制造標(biāo)準(zhǔn) 華科智源IGBT測試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術(shù)規(guī)格書的要求外，在其設(shè)計(jì)、制造、試驗(yàn)、檢定等制程中還應(yīng)滿足以下標(biāo)準(zhǔn)的版本。用戶能對(duì)舊品元件作篩選，留下可用元件，確實(shí)掌握設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)的可靠度。 GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件分立器件第9 部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT） GB 13869-2008 用電安全導(dǎo)則 GB19517-2004 國家電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范 GB 4208-2008 外殼防護(hù)等級(jí)（IP 代碼）（IEC 60529：2001，IDT） GB/T 191-2008 包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志 GB/T 15139-1994 電工設(shè)備結(jié)構(gòu)總技術(shù)條件 GB/T 2423 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) GB/T 3797-2005 電氣控制設(shè)備 GB/T 4588.3-2002 印制板的設(shè)計(jì)和使用 GB/T 9969-2008 工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則 GB/T 6988-2008 電氣技術(shù)用文件的編制 GB/T 3859.3 半導(dǎo)體變流器變壓器和電抗器 GB/T 4023-1997 半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2 部分:整流二極管

欲測知元件老化，所須提供的測量范圍為何？公司裝備精良，具有先進(jìn)的檢測手段，產(chǎn)品生產(chǎn)嚴(yán)格按照ISO9001∶2008標(biāo)準(zhǔn)質(zhì)量管理體系運(yùn)行，其品質(zhì)、技術(shù)及工藝方面保持國內(nèi)，部分產(chǎn)品達(dá)到國外同類產(chǎn)品的先進(jìn)水平。 當(dāng)大功率元件在作導(dǎo)通參數(shù)的測試時(shí)，電流必須大到其所能承受的正常工作值，同時(shí)，在作關(guān)閉參數(shù)的漏電流測試時(shí)，電壓也必須夠高，以元件在真正工作狀態(tài)下的電流與電壓，如此其老化的程度才可顯現(xiàn)。當(dāng)這兩個(gè)參數(shù)通過后，便表示元件基本上良好，再進(jìn)一步作其他參數(shù)的測量，以分辨其中的優(yōu)劣。建議進(jìn)行高溫測試，模擬器件使用工況，更為準(zhǔn)確的判斷器件老化程度。

參數(shù)名稱 符號(hào) 參數(shù)名稱 符號(hào)

開通延遲時(shí)間 td(on) 關(guān)斷延遲時(shí)間 td(off)

上升時(shí)間 tr 下降時(shí)間 tf

開通時(shí)間 ton 關(guān)斷時(shí)間 toff

開通損耗 Eon 關(guān)斷損耗 Eoff

柵極電荷 Qg

短路電流 ISC / /

可測量的FRD動(dòng)態(tài)參數(shù)

反向恢復(fù)電流 IRM 反向恢復(fù)電荷 Qrr

反向恢復(fù)時(shí)間 trr 反向恢復(fù)損耗 Erec

2.7測試夾具 1、控制方式：氣動(dòng)控制 2、控溫范圍：室溫—150℃ 室溫—125℃±1.0℃±3% 125—150℃±1.5℃±3% 3、電源：交流50HZ，220V，功率不大于1000W 4、夾具能安裝不同規(guī)格的適配器，以測試不同規(guī)格的器件，不同模塊需要配備不同的適配器，設(shè)備出廠時(shí)配備62mm封裝專用測試夾具、EconoPACK3封裝專用測試夾具、34mm封裝專用測試夾具各一套，但需甲方提供適配器對(duì)應(yīng)器件的外形圖；產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電力、冶金自動(dòng)化、軌道交通、電力電子新能源開發(fā)等行業(yè)，部分產(chǎn)品出口到歐美等發(fā)達(dá)國家。 2.8環(huán)境要求 環(huán)境溫度：15～35℃ 相對(duì)濕度：小于70% 大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa 壓縮空氣：不小于0.4MPa 電網(wǎng)電壓：AC220V±10%無嚴(yán)重諧波，三線制 電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz