美國Futurrex的光刻膠

北京賽米萊德貿易有限公司供應美國Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY，此款負膠的設計適用于比較寬的波長范圍和i線（366納米）曝光工具。當顯影后顯示出負的側壁角度，是lift-off工藝中比較簡易的光刻膠。A美國光刻膠，Futurrex正膠PR1-2000A,去膠液RR4，和顯影液RD6可以解決以上問題。和其他膠相比NR9i-3000PY有下面的優(yōu)勢： 1. 比較高的光刻速度，可以定制光刻速度來曝光產量 2. 比較高的分辨率和快的顯影時間 3. 根據曝光能量可以比較容易的調整側壁角度 4. 耐溫可以達到100攝氏度 5. 用RR5去膠液可以很容易的去膠 NR9-3000PY的制作和工藝是根據職業(yè)和環(huán)境的安全而設計。主要的溶劑是，NR9-3000PY的顯影在水溶液里完成。屬固含量（%）：31-35 主要溶劑： 外觀： 淺液體涂敷能：均勻的無條紋涂敷 100攝氏度熱板烘烤300秒后膜厚涂敷自旋速度 40秒自旋。

光刻膠國內的研發(fā)起步較晚

光刻膠的研發(fā)，關鍵在于其成分復雜、工藝技術難以掌握。光刻膠主要成分有高分子樹脂、色漿、單體、感光引發(fā)劑、溶劑以及添加劑，開發(fā)所涉及的技術難題眾多，需從低聚物結構設計和篩選、合成工藝的確定和優(yōu)化、活性單體的篩選和控制、色漿細度控制和穩(wěn)定、產品配方設計和優(yōu)化、產品生產工藝優(yōu)化和穩(wěn)定、終使用條件匹配和寬容度調整等方面進行調整。品牌產地型號厚度曝光應用加工特性Futurrex美國NR71-1000PY0。因此，要自主研發(fā)生產，技術難度非常之高。

在光刻膠研發(fā)上，我國起步晚，2000年后才開始重視。近幾年，雖說有了快速發(fā)展，但整體還處于起步階段。事實上，工藝技術水平與國外企業(yè)有著很大的差距，尤其是材料及設備都仍依賴進口。

光刻膠去除

半導體器件制造技術中，通常利用光刻工藝將掩膜板上的掩膜圖形轉移到半導體結構表面的光刻膠層中。通常光刻的基本工藝包括涂膠、曝光和顯影等步驟。

在現有技術中，去除光刻膠層的方法是利用等離子體干法去膠。將帶有光刻膠層的半導體結構置于去膠機內，在射頻電壓的能量的作用下，灰化氣體被解離為等離子體。所述等離子體和光刻膠發(fā)生反應，從而將光刻膠層去除。

而在一些半導體器件設計時，考慮到器件性能要求，需要對特定區(qū)域進行離子注入，使其滿足各種器件不同功能的要求。就拿在國際上具有一定競爭實力的京東方來說，目前已建立17個面板顯示生產基地，其中，有16個已經投產。一部分閃存產品前段器件形成時，需要利用前面存儲單元cell區(qū)域的層多晶硅與光刻膠共同定義摻雜的區(qū)域，由于光刻膠是作為高濃度金屬摻雜時的阻擋層，在摻雜的過程中，光刻膠的外層吸附了一定濃度的金屬離子，這使得光刻膠外面形成一層堅硬的外殼。

這層堅硬的外殼可以采取兩種現有方法去除:方法一，采用濕法刻蝕，但這種工藝容易產生光刻膠殘留；發(fā)展Futurrex在開發(fā)產品方面已經有很長的歷史我們的客戶一直在同我們共同合作，創(chuàng)造出了很多強勢的專利產品。方法二，先通過干法刻蝕去除硬光刻膠外殼，再采用傳統(tǒng)的干法刻蝕去光刻膠的方法去除剩余的光刻膠的方法，但是這種方式增加了一步工藝流程，浪費能源，而且降低了生產效率；同時，傳統(tǒng)的光刻膠干法刻蝕去除光刻膠時，光刻膠外面的外殼阻擋了光刻膠內部的熱量的散發(fā)，光刻膠內部膨脹應力增大，導致層多晶硅倒塌的現象。

NR9-3000PYRR41光刻膠報價

二、預烘和底膠涂覆（Pre-bake and Primer Vapor）

由于光刻膠中含有溶劑，所以對于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強光刻膠與表面的黏附性、通常大約100 °C。這是與底膠涂覆合并進行的。

底膠涂覆增強光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。廣泛使用: (HMDS)、在PR旋轉涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。