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發(fā)布時(shí)間:2021-09-10 08:54  
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多晶硅,是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí),硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核,如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結(jié)合起來,就結(jié)晶成多晶硅。利用價(jià)值:從目前國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢(shì)為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)
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多晶硅和單晶硅可從外觀上加以區(qū)別,但真正的鑒別須通過分析測(cè)定晶體的晶面方向、導(dǎo)電類型和電阻率等。多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料,是當(dāng)代人工智能、自動(dòng)控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料。

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硅化鎂法是用Mg2Si與NH4Cl在液氨中反應(yīng)生成硅烷。該法由于原料消耗量大,成本高,危險(xiǎn)性大,而沒有推廣,現(xiàn)在只有日本Komatsu使用此法。現(xiàn)代硅烷的制備采用歧化法,即以冶金級(jí)硅與SiCl4為原料合成硅烷,首先用SiCl4、Si和H2反應(yīng)生成SiHCl3 ,然后SiHCl3 歧化反應(yīng)生成SiH2Cl2,后由SiH2Cl2 進(jìn)行催化歧化反應(yīng)生成SiH4 ,
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冶金法冶金法制備太陽能級(jí)多晶硅(Solar Grade Silicon簡(jiǎn)稱SOG—Si),是指以冶金級(jí)硅(metallurgicalGrade Silicon簡(jiǎn)稱MG-Si)為原料(98.5%~99.5%)。經(jīng)過冶金提純制得純度在99.9999%以上用于生產(chǎn)太陽能電池的多晶硅原料的方法。冶金法在為太陽能光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)服務(wù)上,存在成本低、能耗低、產(chǎn)出率高、投資門檻低等優(yōu)勢(shì),通過發(fā)展新一代載能束高真空冶金技術(shù),可使純度達(dá)到6N以上,并在若干年內(nèi)逐步發(fā)展成為太陽能級(jí)多晶硅的主流制備技術(shù)。
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