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發(fā)布時(shí)間:2021-06-15 05:54  
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負(fù)性光刻膠
負(fù)性光刻膠分為粘性增強(qiáng)負(fù)性光刻膠、加工負(fù)性光刻膠、剝離處理用負(fù)性光刻膠三種。
A、粘性增強(qiáng)負(fù)性光刻膠
粘性增強(qiáng)負(fù)膠的應(yīng)用是在設(shè)計(jì)制造中替代基于聚異戊二烯雙疊氮的負(fù)膠。粘性增強(qiáng)負(fù)膠的特性是在濕刻和電鍍應(yīng)用時(shí)的粘附力;很容易用光膠剝離器去除,厚度范圍是﹤0.1 ~ 120.0 μm,可在i、g以及h-line波長(zhǎng)曝光。
粘性增強(qiáng)負(fù)膠對(duì)生產(chǎn)量的影響,消除了基于溶液的顯影和基于溶液沖洗過(guò)程的步驟。二、預(yù)烘和底膠涂覆(Pre-bakeandPrimerVapor)由于光刻膠中含有溶劑,所以對(duì)于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。優(yōu)于傳統(tǒng)正膠的優(yōu)勢(shì):控制表面形貌的優(yōu)異帶寬、任意甩膠厚度都可得到筆直的側(cè)壁、具有一次旋涂即可獲得100 μm甩膠厚度、厚膠層同樣可得到優(yōu)越的分辨率、150 ℃軟烘烤的應(yīng)用可縮短烘烤時(shí)間、優(yōu)異的光速度進(jìn)而增強(qiáng)曝光通量、更快的顯影,100 μm的光膠顯影僅需6 ~ 8分鐘、光膠曝光時(shí)不會(huì)出現(xiàn)光膠氣泡、可將一個(gè)顯影器同時(shí)應(yīng)用于負(fù)膠和正膠、不必使用粘度增強(qiáng)劑。
i線曝光用粘度增強(qiáng)負(fù)膠系列:NP9–250P、NP9–1000P、NP9–1500P、NP9–3000P、NP9–6000P、NP9–8000、NP9–8000P、NP9–20000P。
g和h線曝光用粘度增強(qiáng)負(fù)膠系列:NP9G–250P、NP9G–1000P、NP9G–1500P、NP9G–3000P、NP9G–6000P、NP9G–8000。
B、加工負(fù)膠
加工負(fù)膠的應(yīng)用是替代用于RIE加工及離子植入的正膠。加工負(fù)膠的特性在RIE加工時(shí)優(yōu)異的選擇性以及在離子植入時(shí)優(yōu)異的溫度阻抗,厚度范圍是﹤0.1 ~ 120.0 μm,可在i、g以及h-line波長(zhǎng)曝光。
加工負(fù)膠優(yōu)于正膠的優(yōu)勢(shì)是控制表面形貌的優(yōu)異帶寬、任意甩膠厚度都可得到筆直的側(cè)壁、具有一次旋涂即可獲得100 μm甩膠厚度、厚膠層同樣可得到優(yōu)越的分辨率、150 ℃軟烘烤的應(yīng)用可縮短烘烤時(shí)間、優(yōu)異的光速度進(jìn)而增強(qiáng)曝光通量、更快的顯影,100 μm的光膠顯影僅需6 ~ 8分鐘、光膠曝光時(shí)不會(huì)出現(xiàn)光膠氣泡、可將一個(gè)顯影器同時(shí)應(yīng)用于負(fù)膠和正膠、優(yōu)異的溫度阻抗直至180 ℃、在反應(yīng)離子束刻蝕或離子減薄時(shí)非常容易地增加能量密度,從而提高刻蝕速度和刻蝕通量、非常容易進(jìn)行高能量離子減薄、不必使用粘度促進(jìn)劑。正膠的圖像與掩模板的圖像是一致的,故此叫正膠,利用這種性能,將光刻膠作涂層,就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。
用于i線曝光的加工負(fù)膠系列:NR71-250P、NR71-350P、NR71-1000P、NR71-1500P、NR71-3000P、NR71-6000P、NR5-8000。
下游發(fā)展趨勢(shì)
光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。光刻工藝的成本約為整個(gè)芯片制造工藝的35%,并且耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)芯片工藝的40%到50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%,市場(chǎng)巨大。品牌產(chǎn)地型號(hào)厚度曝光應(yīng)用加工特性Futurrex美國(guó)NR71-1000PY0。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的核心材料。2016年全球半導(dǎo)體用光刻膠及配套材料市場(chǎng)分別達(dá)到14.5億美元和19.1億美元,分別較2015年同比增長(zhǎng)9.0%和8.0%。預(yù)計(jì)2017和2018年全球半導(dǎo)體用光刻膠市場(chǎng)將分別達(dá)到15.3億美元和15.7億美元。隨著12寸先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)線的興建和多次曝光工藝的大量應(yīng)用,193nm及其它先進(jìn)光刻膠的需求量將快速增加
NR77-20000PMSDS
光刻膠運(yùn)輸標(biāo)識(shí)及注意事項(xiàng)
標(biāo)簽上標(biāo)明的意思
R標(biāo)識(shí)
R10 YI燃。
S標(biāo)識(shí)
S16 遠(yuǎn)離火源-禁止吸煙。
S 24 避免接觸皮膚。
S 33對(duì)靜電放電采取預(yù)防措施。
S 9 將容器保持在通風(fēng)良好的地方。
水生毒性
通過(guò)自然環(huán)境中的化學(xué)、光化學(xué)和微生物降解來(lái)分解。一般不通過(guò)水解降解。300 ppm對(duì)水生生物是安全的。鹵化反應(yīng)可能發(fā)生在水環(huán)境中。
PR1-1000A1
NR9-3000PY 負(fù)性光刻膠
負(fù)膠 NR9-3000PY 被設(shè)計(jì)用于i 線(365 nm)曝光,可使用如步進(jìn)光刻、掃描投影式光刻、接近式光刻
和接觸式光刻等工具。
顯影之后,NR9-3000PY 展現(xiàn)出一種倒梯形側(cè)壁,這可以方便地作單純的LIFT-OFF 處理。
NR9-3000PY 相對(duì)于其他光刻膠具有如下優(yōu)勢(shì):
- 優(yōu)異的分辨率性能
- 快速地顯影
- 可以通過(guò)調(diào)節(jié)曝光能量很容易地調(diào)節(jié)倒梯形側(cè)壁的角度
- 耐受溫度100℃
- 室溫儲(chǔ)存保質(zhì)期長(zhǎng)達(dá)3 年
Lift-Off工藝
應(yīng)用領(lǐng)域:LEDs,OLEDs,displays,MEMS,packaging,biochips。
濕法蝕刻,鍍 干法蝕刻(RIE/Ion Milling/Ion implantation)
附著力好Temperature resistance = 100°C 耐高溫Temperature resistance = 180°C
Resist Thickness NR9-3000PY 負(fù)性光刻膠
負(fù)膠 NR9-3000PY 被設(shè)計(jì)用于i 線(365
nm)曝光,可使用如步進(jìn)光刻、掃描投影式光刻、接近式光刻



