3、技術(shù)指標(biāo) * 3.1 機(jī)臺(tái)可測(cè)試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3.2 機(jī)臺(tái)可測(cè)IGBT項(xiàng)目 及測(cè)試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導(dǎo)通電壓 可以測(cè)5000V,1600A以下的IGBT模塊 * 3.3 機(jī)臺(tái)可測(cè)MOS項(xiàng)目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs 3.4 測(cè)試項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)試條件與精度 * 3.5 VGE(th) 柵極閾值電壓 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 解析度：0.01V 集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；華科智源IGBT電參數(shù)測(cè)試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測(cè)試，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車，風(fēng)力發(fā)電，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。

3.1開通時(shí)間Ton測(cè)試原理框圖 圖3-1開通時(shí)間測(cè)試原理框圖 其中：Vcc 試驗(yàn)電壓源 ±VGG 柵極電壓 C1 箝位電容 Q1 陪測(cè)器件（實(shí)際起作用的是器件中的續(xù)流二極管） L 負(fù)載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動(dòng)切換 IC 集電極電流取樣電流傳感器 DUT 被測(cè)器件 開通時(shí)間定義（見下圖）：柵極觸發(fā)信號(hào)第二個(gè)脈沖上升的10%到集電極電流IC上升到10%的時(shí)間間隔為開通延遲時(shí)間td （on） ，集電極電流IC上升的10%到90%的時(shí)間間隔即為電流上升時(shí)間tr ，則ton= td （on） tr

4驗(yàn)收和測(cè)試 3)驗(yàn)收試驗(yàn)應(yīng)在-10～40℃環(huán)境溫度下進(jìn)行，驗(yàn)收完成后測(cè)試平臺(tái)及外部組件和裝置均應(yīng)安裝在買方的位置上。IGBT測(cè)試裝置技術(shù)要求 （1）設(shè)備功能 IGBT模塊檢測(cè)裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。 4)測(cè)試單元發(fā)貨到買方前，賣方應(yīng)進(jìn)行出廠試驗(yàn)。賣方出廠試驗(yàn)詳細(xì)方案應(yīng)提前提交買方評(píng)估，通過買方評(píng)估合格后實(shí)施方可視為有效試驗(yàn)。否則，需按買方提出的修改意見重新制定出廠試驗(yàn)方案，直至買方評(píng)估合格。