晶圓級(jí)封裝方案是直接將裸片直接焊接在主板上，晶圓級(jí)封裝主要分為扇入型封裝和扇出型封裝兩種。扇入型封裝是在晶圓片未切割前完成封裝工序，即先封裝后切割。因此，裸片封裝后與裸片本身的尺寸相同。扇出型封裝是先在人造模壓晶圓片上重構(gòu)每顆裸片，“新”晶圓片是加工RDL布線層的基板，然后按照普通扇入型晶圓級(jí)封裝后工序，完成后的封裝流程。

扇入和扇出型封裝流程

這里需要說(shuō)明的是，為提高晶圓級(jí)封裝的可靠性，目前存在多種焊球裝配工藝，其中包括氮化物層上焊球、聚合物層上焊球、銅柱晶圓級(jí)封裝等等。重點(diǎn)是RDL層/聚合物層上用UBM層裝配焊球的方法。扇入型標(biāo)準(zhǔn)封裝裸片是直接暴露于空氣中(裸片周圍無(wú)模壓復(fù)合物)，人們擔(dān)心這種封裝非常容易受到外部風(fēng)險(xiǎn)的影響。優(yōu)化晶片切割工藝是降低失效風(fēng)險(xiǎn)的首要措施。

BEoL區(qū)的S1 應(yīng)力分量(MPa)  - 獨(dú)立配置

一旦組裝到主板上后，應(yīng)力區(qū)域特性接近在標(biāo)準(zhǔn)倒裝片配置上觀察到的應(yīng)力區(qū)域。在外層焊球區(qū)域觀察到應(yīng)力值，因?yàn)橥鈱雍盖虻街行渣c(diǎn)(DNP)(即封裝中心)的距離遠(yuǎn)。焊球下面的應(yīng)力分布受焊球至封裝中心的相對(duì)位置的影響。因此，壓縮力和拉伸力區(qū)域方向隨焊球位置不同而變化。
與獨(dú)立封裝相比，已焊接的焊球使焊盤受到更大的應(yīng)力。不過(guò)，無(wú)論封裝尺寸多大，裸片和聚會(huì)物邊緣受到的應(yīng)力都會(huì)保持不變。

封裝焊點(diǎn)熱疲勞失效

許多集成電路傳統(tǒng)上使用不含鉛的焊點(diǎn)凸點(diǎn)作為與其它管芯、封裝、甚至印刷電路板(PCB)的連接。相鄰層中不同的熱膨脹系數(shù)和溫度會(huì)使材料產(chǎn)生不同的膨脹和收縮。這些熱機(jī)械力，振動(dòng)、機(jī)械沖擊等，會(huì)對(duì)焊點(diǎn)造成應(yīng)變，并可能導(dǎo)致焊點(diǎn)和互連表面的裂紋。近，銅柱變得流行起來(lái)，因?yàn)樗鼈兊暮更c(diǎn)間距更小。然而，這些相互連接的剛性更強(qiáng)，根據(jù)施加的應(yīng)變，可能會(huì)更快地失效。