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發(fā)布時(shí)間:2020-11-29 09:56  
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金屬標(biāo)牌蝕刻突破瓶頸的新模式
金屬標(biāo)牌蝕刻是一種全新的蝕刻工藝,標(biāo)牌顧名思義大家都知道是什么,金屬標(biāo)牌所選用的材料一般為鋁、銅、不銹鋼板。而鋁所選用的鋁版一般為拉絲鋁板,擁有精致的線條紋路,使印刷出來(lái)的鋁牌顯得十分的精巧、美觀。而輕,柔,美就是鋁牌的特點(diǎn)。這種鋁表面還有一層保護(hù)膜保護(hù)好鋁牌不被刮花。不銹鋼標(biāo)牌的腐蝕方法不銹鋼標(biāo)牌在我們的日常生活當(dāng)中很常用,不銹鋼標(biāo)牌的制作方法也有很多,但是我最近發(fā)現(xiàn)有很多的人在問(wèn)不銹鋼標(biāo)牌的腐蝕方法,你知道不銹鋼標(biāo)牌的腐蝕方法嗎。蝕刻就是在它的上面進(jìn)行加工,一起來(lái)看看金屬標(biāo)牌蝕刻突破瓶頸的模式吧!
突破性的蝕刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)原子級(jí)的蝕刻精準(zhǔn)性,從而推動(dòng)摩爾定律發(fā)展;隨著芯片結(jié)構(gòu)日益精細(xì),選擇性工藝可在不損傷芯片的前提下清除不需要的材料;蝕刻標(biāo)牌生產(chǎn)工藝蝕刻是金屬表面處理技術(shù)中綜合性很強(qiáng)的一種精飾工藝,涉及到網(wǎng)版印刷、感光油墨、油漆技術(shù)、化工制造等多學(xué)科的技術(shù)知識(shí)。該系統(tǒng)已獲得芯片制造商青睞,用于生產(chǎn)先進(jìn)FinFET和存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)先進(jìn)芯片的一個(gè)重要壁壘是在一個(gè)多層結(jié)構(gòu)芯片中有選擇性地清除某一特定材料,而不破壞其他材料是我們?cè)谖g刻領(lǐng)域中的又一大創(chuàng)新,豐富了我們的差異化產(chǎn)品線,通過(guò)實(shí)現(xiàn)選擇性清除工藝,推動(dòng)了摩爾定律發(fā)展,創(chuàng)造了新的市場(chǎng)機(jī)遇。
隨著先進(jìn)微型芯片的結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜,其深而窄的溝槽為芯片制造帶來(lái)了全新的挑戰(zhàn),例如濕性化學(xué)成分無(wú)法穿透微小結(jié)構(gòu),或是無(wú)法在不損傷芯片的前提下清除不需要的物質(zhì)。Selectra系統(tǒng)的革命性工藝可進(jìn)入極狹小的空間,從而實(shí)現(xiàn)的選擇性材料清除和原子級(jí)的蝕刻精準(zhǔn)性,適用于各類(lèi)電介質(zhì)、金屬和半導(dǎo)體薄膜。其廣泛的工藝范圍以及控制無(wú)殘留物和無(wú)損傷材料清除的能力,顯著擴(kuò)大了蝕刻技術(shù)的應(yīng)用范圍,可用于圖案化、邏輯、代工、3DNAND及DRAM等關(guān)鍵蝕刻應(yīng)用。3、焊接完后將所有可見(jiàn)焊縫打磨光滑,與周?chē)砻嬉粯悠交?,無(wú)明顯劃痕。憑借Selectra系統(tǒng)的豐富功能,芯片制造商能夠生產(chǎn)出先進(jìn)的3D設(shè)備,并探索新的芯片結(jié)構(gòu)、材料和集成技術(shù)。
蝕刻過(guò)程中應(yīng)注意的問(wèn)題
1. 減少側(cè)蝕和突沿﹐提高蝕刻系數(shù)
側(cè)蝕會(huì)產(chǎn)生突沿。 通常印制板在蝕刻液中的時(shí)間越長(zhǎng), 側(cè)蝕的情況越嚴(yán)重。 側(cè)蝕將嚴(yán) 重影響印制導(dǎo)線的精度﹐ 嚴(yán)重的側(cè)蝕將不可能制作精細(xì)導(dǎo)線。 當(dāng)側(cè)蝕和突沿降低時(shí)﹐蝕刻 系數(shù)就會(huì)升高﹐高蝕刻系數(shù)表示有保持細(xì)導(dǎo)線的能力﹐使蝕刻后的導(dǎo)線能接近原圖尺寸。清潔干燥是蝕刻標(biāo)牌制作的最后一步,經(jīng)過(guò)清潔干燥后,蝕刻標(biāo)牌基本完成。 無(wú)論是錫-鉛合金﹐錫﹐錫-鎳合金或鎳的電鍍蝕刻劑, 突沿過(guò)度時(shí)都會(huì)造成導(dǎo)線短路。
一、二槽酸液蝕刻 Glass 材料時(shí)設(shè)置的溫度、速度、需根據(jù)酸液的濃度及材料導(dǎo)電層附著力的強(qiáng)弱而調(diào)節(jié),以能完 全蝕刻、不短路為原則并配合堿段的參數(shù); b.同時(shí)生產(chǎn)前需做首件檢測(cè)原材料方阻,方阻需在要求范圍之內(nèi)才可正常生產(chǎn); c.兩槽酸液流量要適中范圍;由于有雄厚的項(xiàng)目支持﹐因此研究人員有能力從長(zhǎng)遠(yuǎn)意議上對(duì)蝕刻裝置的設(shè)計(jì)思想進(jìn)行改變﹐同時(shí)研究這些改變所產(chǎn)生的效果。 d.如出現(xiàn)刻不斷等其它的現(xiàn)象時(shí)請(qǐng)優(yōu)先調(diào)整各階段的速度以 1.5 為基準(zhǔn)往上調(diào)或往下調(diào); e.酸槽的速度必須小于不等于堿槽的速度。 (2)堿洗、脫膜(Glass)